Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRLR014TRPBF

IRLR014TRPBF

更新时间： 2024-11-25 05:39:31

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威世 - VISHAY		/
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8页	2167K
描述
Power MOSFET

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IRLR014TRPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-252	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	1.11
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	雪崩能效等级（Eas）：	27.4 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7.7 A
最大漏极电流 (ID)：	7.7 A	最大漏源导通电阻：	0.2 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	25 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	31 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRLR014TRPBF 数据手册

IRLR014, IRLU014, SiHLR014, SiHLU014

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

Available

• Surface Mount (IRLR014/SiHLR014)

0.20

R_DS(on)(Ω)

Q_g(Max.) (nC)

Q_gs(nC)

V_GS= 5.0 V

RoHS*

• Straight Lead (IRLU014/SiHLU014)

8.4

3.5

COMPLIANT

• Available in Tape and Reel

• Logic-Level Gate Drive

• R_DS(on)Specified at V_GS= 4 V and 5 V

• Fast Switching

_gd(nC)

6.0

Configuration

Single

• Lead (Pb)-free Available

DPAK

(TO-252)

IPAK

(TO-251)

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The DPAK is designed for surface mounting using vapor

phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight

N-Channel MOSFET

lead version (IRFU/SiHFU series) is for through-hole

mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W

are possible in typical surface mount applications.

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252)

IRLR014TRLPbF^a

SiHLR014TL-E3^a

IRLR014TRL^a

IPAK (TO-251)

IRLU014PbF

SiHLU014-E3

IRLU014

IRLR014PbF

SiHLR014-E3

IRLR014

IRLR014TRPbF^a

SiHLR014T-E3^a

IRLR014TR^a

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHLR014

SiHLR014T^a

SiHLR014TL^a

SiHLU014

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

T_C= 25 °C

T_C=100°C

7.7

4.9

Continuous Drain Current

V_GSat 5.0 V

I_D

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.20

0.020

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Maximum Power Dissipation

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

Peak Diode Recovery dV/dt^c

E_AS

P_D

_C= 25 °C

T_A= 25 °C

2.5

dV/dt

4.5

V/ns

°C

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

T_J, T_stg

- 55 to + 150

260^d

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 25 V, starting T_J= 25 °C, L = 924 µH, R_G= 25 Ω, I_AS= 7.7 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 10 A, dI/dt ≤ 90 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91321

S-Pending-Rev. A, 21-Jul-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

12 3 4 5 6 7 8

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与IRLR014TRPBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRLR020	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 50V V(BR)DSS \| 14A I(D) \| TO-252
IRLR024	INFINEON	获取价格	5-BIT PROGRAMMABLE SYNCHRONOUS BUCK, NON-SYNCHRONOUS,ADJUSTABLE LDO AND 200mA ON-BOARD LDO
IRLR024	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRLR024	SAMSUNG	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRLR024, IRLU024, SiHLR024, SiHLU024	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRLR024_09	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRLR024A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 15A I(D) \| TO-252AA
IRLR024N	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRLR024NPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRLR024NTRL	INFINEON	获取价格	Logic-Level Gate Drive

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