Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRLR024TRRPBF

IRLR024TRRPBF

更新时间： 2024-11-25 13:01:43

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	1204K
描述
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3

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IRLR024TRRPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-252AA
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.08	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：	91 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	14 A	最大漏极电流 (ID)：	14 A
最大漏源导通电阻：	0.1 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	42 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	56 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRLR024TRRPBF 数据手册

IRLR024, IRLU024, SiHLR024, SiHLU024

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

Available

• Surface Mount (IRLR024/SiHLR024)

0.10

_DS(on)(Ω)

V_GS= 5.0 V

RoHS*

• Straight Lead (IRLU024/SiHLU024)

COMPLIANT

Q_g(Max.) (nC)

4.5

• Available in Tape and Reel

• Logic-Level Gate Drive

• R_DS(on)Specified at V_GS= 4 V and 5 V

• Fast Switching

_gs(nC)

_gd(nC)

Configuration

Single

• Lead (Pb)-free Available

DPAK

(TO-252)

IPAK

(TO-251)

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The DPAK is designed for surface mounting using vapor

phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight

lead version (IRLU/SiHLU series) is for through-hole

mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W

are possible in typical surface mount applications.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252)

IRLR024TRPbF^a

SiHLR024T-E3^a

IRLR024TR^a

IPAK (TO-251)

IRLU024PbF

SiHLU024-E3

IRLU024

IRLR024PbF

Lead (Pb)-free

SiHLR024-E3

IRLR024

SnPb

SiHLR024

SiHLR024T^a

SiHLU024

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

T_C= 25 °C

T_C=100°C

Continuous Drain Current

_GSat 5.0 V

I_D

9.2

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.33

0.020

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Maximum Power Dissipation

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

Peak Diode Recovery dV/dt^c

E_AS

P_D

_C= 25 °C

T_A= 25 °C

2.5

dV/dt

4.5

V/ns

°C

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

T_J, T_stg

- 55 to + 150

260^d

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 25 V, starting T_J= 25 °C, L = 541 µH, R_G= 25 Ω, I_AS= 14 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 17 A, dI/dt ≤ 140 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91322

S-82993-Rev. B, 19-Jan-09

www.vishay.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRLR024Z	INFINEON	获取价格	AUTOMOTIVE MOSFET
IRLR024ZPBF	INFINEON	获取价格	AUTOMOTIVE MOSFET
IRLR024ZTRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 55V, 0.058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRLR024ZTRR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 55V, 0.058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRLR034A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 23A I(D) \| TO-252AA
IRLR110	INFINEON	获取价格	POWER MOSFET
IRLR110	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRLR110	SAMSUNG	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 100V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRLR110, IRLU110, SiHLR110, SiHLU110	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRLR110A	FAIRCHILD	获取价格	ADVANCED POWER MOSFET

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