IRLR120

更新时间： 2024-01-07 02:37:57

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威世 - VISHAY		/
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8页	613K
描述
Power MOSFET

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IRLR120 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-252AA	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.06
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	210 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7.7 A	最大漏极电流 (ID)：	7.7 A
最大漏源导通电阻：	0.27 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	225	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	42 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	31 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRLR120 数据手册

IRLR120, IRLU120, SiHLR120, SiHLU120

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

100

Available

• Repetitive Avalanche Rated

0.27

_DS(on)(Ω)

V_GS= 5.0 V

RoHS*

• Surface Mount (IRLR120/SiHLR120)

COMPLIANT

Q_g(Max.) (nC)

3.0

7.1

• Straight Lead (IRLU120/SiHLU120)

• Available in Tape and Reel

• Logic-Level Gate Drive

_gs(nC)

_gd(nC)

Configuration

Single

• R_DS(on)Specified at V_GS= 4 V and 5 V

• Lead (Pb)-free Available

DPAK

(TO-252)

IPAK

(TO-251)

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The DPAK is designed for surface mounting using vapor

phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight

lead version (IRLU/SiHLU series) is for through-hole

mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W

are possible in typical surface mount applications.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252)

IRLR120PbF

SiHLR120-E3

IRLR120

DPAK (TO-252)

IRLR120TRLPbF^a

SiHLR120TL-E3^a

IRLR120TRL^a

DPAK (TO-252)

IRLR120TRPbF^a

SiHLR120T-E3^a

IRLR120TR^a

DPAK (TO-252)

IRLR120TRRPbF^a

SiHLR120TR-E3^a

IPAK (TO-251)

IRLU120PbF

Lead (Pb)-free

SiHLU120-E3

SnPb

SiHLR120

SiHLR120TL^a

SiHLR120T^a

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

SYMBOL

LIMIT

100

UNIT

V_DS

V_GS

_C= 25 °C

7.7

Continuous Drain Current

V_GSat 5.0 V

I_D

T_C=100°C

4.9

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.33

0.020

210

7.7

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

E_AS

I_AR

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AR

4.2

Maximum Power Dissipation

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

Peak Diode Recovery dV/dt^c

T_C= 25 °C

P_D

V/ns

°C

T_A= 25 °C

2.5

dV/dt

5.5

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

T_J, T_stg

- 55 to + 150

260^d

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 25 V, starting T_J= 25 °C, L = 5.3 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 7.7 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 9.2 A, dI/dt ≤ 110 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91324

S-81292-Rev. A, 16-Jun-08

www.vishay.com

12 3 4 5 6 7 8

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IRLR120 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRLR120TRPBF	VISHAY	完全替代	Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
IRLR120TRRPBF	VISHAY	完全替代	Power MOSFET
IRLR120PBF	VISHAY	完全替代	Power MOSFET

与IRLR120相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRLR120, IRLU120, SiHLR120, SiHLU120	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRLR120A	FAIRCHILD	获取价格	ADVANCED POWER MOSFET
IRLR120ATF	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRLR120ATM	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRLR120N	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.185ohm, Id=10A)
IRLR120NPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢ Power MOSFET
IRLR120NTR	INFINEON	获取价格	Advanced Process Technology
IRLR120NTR	UMW	获取价格	种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:100V;持续漏极电流（Id）（在25°C
IRLR120NTRLPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.225ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRLR120NTRPBF	INFINEON	获取价格	Surface Mount (IRLR120N)

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