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IRLR211

更新时间: 2024-01-12 17:19:32
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三星 - SAMSUNG 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 51K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 150V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3

IRLR211 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.84
其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:150 V最大漏极电流 (Abs) (ID):2 A
最大漏极电流 (ID):2 A最大漏源导通电阻:2.4 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSSO-G2
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:25 W最大功率耗散 (Abs):25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):8 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):30 ns最大开启时间(吨):40 ns
Base Number Matches:1

IRLR211 数据手册

  

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