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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRLR2905PBF
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IRLR2905PBF

更新时间： 2024-10-01 04:23:07
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
10页 311K
描述
HEXFET Power MOSFET

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IRLR2905PBF 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, DPAK-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：25 weeks 2 days
风险等级：6.85Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：210 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：42 A
最大漏极电流 (ID)：20 A最大漏源导通电阻：0.03 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：110 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：160 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRLR2905PBF 数据手册

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PD- 95084A  
IRLR/U2905PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
l Logic-Level Gate Drive  
l Ultra Low On-Resistance  
l Surface Mount (IRLR2905)  
l Straight Lead (IRLU2905)  
l Advanced Process Technology  
l Fast Switching  
D
VDSS = 55V  
RDS(on) = 0.027Ω  
G
l Fully Avalanche Rated  
l Lead-Free  
ID = 42Aꢀ  
S
Description  
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced  
processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per  
silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and  
ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for,  
provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide  
variety of applications.  
D-Pak  
TO-252AA  
I-Pak  
TO-251AA  
The D-PAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or  
wave soldering techniques. The straight lead version (IRFU series) is for  
through-hole mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 watts  
are possible in typical surface mount applications.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
42 ꢀ  
30  
160  
110  
0.71  
± 16  
210  
25  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current   
A
PD @TC = 25°C  
PowerDissipation  
W
W/°C  
V
LinearDeratingFactor  
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-SourceVoltage  
Single Pulse Avalanche Energy‚  
AvalancheCurrent  
mJ  
A
EAR  
dv/dt  
TJ  
RepetitiveAvalancheEnergy  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
OperatingJunctionand  
11  
mJ  
V/ns  
5.0  
-55 to + 175  
TSTG  
StorageTemperatureRange  
SolderingTemperature, for10seconds  
°C  
300 (1.6mm from case )  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
1.4  
Units  
RθJC  
RθJA  
RθJA  
Case-to-Ambient(PCBmount)**  
Junction-to-Ambient  
–––  
50  
°C/W  
–––  
110  
** When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material ) .  
For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994  
www.irf.com  
1
12/7/04  
1234567...10

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IRLR2905PBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRLR2905TRLPBF INFINEON

完全替代

 Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRLR2905ZTRPBF INFINEON

类似代替

 Logic Level
IRLR2905TRPBF INFINEON

类似代替

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRLR2905TR UMW

获取价格

 		种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:60V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
IRLR2905TRLPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 55V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRLR2905TRPBF INFINEON

获取价格

 		Advanced Process Technology
IRLR2905Z INFINEON

获取价格

 		AUTOMOTIVE MOSFET
IRLR2905ZPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET Power MOSFET
IRLR2905ZTR INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRLR2905ZTRLPBF INFINEON

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