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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-252 | 包装说明： | DPAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.83 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 37 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 7.5 A | 最大漏极电流 (ID)： | 7.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.4 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 48 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 26 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| FQD4N20TM | FAIRCHILD |
类似代替  |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| FDD7N20TM | ONSEMI |
功能相似 |
功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM， 200 V，5 A，690 mΩ，DPA |
|
| PHD9NQ20T,118 | NXP |
功能相似 |
N-channel TrenchMOS standard level FET DPAK 3-Pin |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRLR2703 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET |
|
| IRLR2703PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRLR2703TR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRLR2703TRLPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRLR2703TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRLR2703TRR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRLR2703TRRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRLR2705 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET POWER MOSFET |
|
| IRLR2705PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRLR2705TR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 55V, 0.051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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