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PHD9NQ20T,118 PDF预览

PHD9NQ20T,118

更新时间： 2024-09-26 15:47:51
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 112K
描述
N-channel TrenchMOS standard level FET DPAK 3-Pin

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PHD9NQ20T,118 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：DPAK包装说明：PLASTIC, SMD, SC-63, DPAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.16雪崩能效等级（Eas）：93 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：8.7 A
最大漏极电流 (ID)：8.7 A最大漏源导通电阻：0.4 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：88 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：35 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

PHD9NQ20T,118 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
N-channel TrenchMOS transistor  
PHP9NQ20T, PHB9NQ20T  
PHD9NQ20T  
FEATURES  
SYMBOL  
QUICK REFERENCE DATA  
d
• ’Trench’ technology  
• Low on-state resistance  
• Fast switching  
VDSS = 200 V  
ID = 8.7 A  
• Low thermal resistance  
g
RDS(ON) ≤ 400 mΩ  
s
GENERAL DESCRIPTION  
N-channel, enhancement mode field-effect power transistor using Trench technology, intended for use in off-line  
switchedmode power supplies, T.V. and computer monitor power supplies, d.c. to d.c. converters, motor control circuits  
and general purpose switching applications.  
The PHP9NQ20T is supplied in the SOT78 (TO220AB) conventional leaded package  
The PHB9NQ20T is supplied in the SOT404 (D2PAK) surface mounting package  
The PHD9NQ20T is supplied in the SOT428 (DPAK) surface mounting package  
PINNING  
SOT78 (TO220AB)  
SOT404 (D2PAK)  
SOT428 (DPAK)  
tab  
tab  
PIN  
1
DESCRIPTION  
tab  
gate  
2
drain 1  
source  
2
2
3
1 2 3  
1
3
1
3
tab drain  
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
VDSS  
VDGR  
VGS  
ID  
Drain-source voltage  
Drain-gate voltage  
Gate-source voltage  
Continuous drain current  
Tj = 25 ˚C to 175˚C  
Tj = 25 ˚C to 175˚C; RGS = 20 kΩ  
-
-
-
-
-
-
-
200  
200  
± 30  
8.7  
6.2  
35  
V
V
V
A
A
A
W
˚C  
Tmb = 25 ˚C; VGS = 10 V  
Tmb = 100 ˚C; VGS = 10 V  
Tmb = 25 ˚C  
IDM  
PD  
Tj, Tstg  
Pulsed drain current  
Total power dissipation  
Operating junction and  
storage temperature  
Tmb = 25 ˚C  
88  
175  
- 55  
1 It is not possible to make connection to pin:2 of the SOT404 or SOT428 packages.  
October 2000  
1
Rev 1.300  
1234567...12

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PHD9NQ20T,118 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2SK214 RENESAS

功能相似

 Silicon N Channel MOS FET
FDD6N20TM FAIRCHILD

功能相似

 N-Channel MOSFET

与PHD9NQ20T,118相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PHD9NQ20T/T3 NXP

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 		TRANSISTOR 8.7 A, 200 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, SMD, SC-63, DPAK-
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 		ESD protection for ultra high-speed interfacesProduction
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PHDR06T1-R AMPHENOL

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 		Board Connector, 6 Contact(s), 2 Row(s), Male, Right Angle, 0.1 inch Pitch, Solder Termina
PHDR08G1-R AMPHENOL

获取价格

 		Board Connector, 8 Contact(s), 2 Row(s), Male, Right Angle, 0.1 inch Pitch, Solder Termina
PHDR08T1-R AMPHENOL

获取价格

 		Board Connector, 8 Contact(s), 2 Row(s), Male, Right Angle, 0.1 inch Pitch, Solder Termina
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 		*双排结构*箱型触点提供稳定的触点性能。*箱型带座插头

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