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IRLR2908TRLPBF

更新时间： 2024-10-01 12:28:11
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
11页 340K
描述
Advanced Process Technology

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IRLR2908TRLPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：6.86
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：250 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：80 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：30 A最大漏极电流 (ID)：30 A
最大漏源导通电阻：0.028 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：120 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：150 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRLR2908TRLPBF 数据手册

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PD - 95552B  
IRLR2908PbF  
IRLU2908PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
Features  
Advanced Process Technology  
D
Ultra Low On-Resistance  
Dynamic dv/dt Rating  
VDSS = 80V  
175°C Operating Temperature  
Fast Switching  
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
Lead-Free  
RDS(on) = 28mΩ  
G
ID = 30A  
S
Description  
This HEXFET ® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques  
to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features  
ofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtemperature,  
low RθJC, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating.  
These features combine to make this design an extremely efficient and  
reliable device for use in a wide variety of applications.  
The D-Pak is designed for surface mounting using vapor phase, infrared,  
or wave soldering techniques. The straight lead version (IRFU series) is  
for through-hole mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5  
watts are possible in typical surface mount applications.  
I-Pak  
IRLU2908PbF  
D-Pak  
IRLR2908PbF  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
39  
Units  
A
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)  
I
I
I
I
@ TC = 25°C  
@ TC = 100°C  
@ TC = 25°C  
D
D
D
Continuous Drain Current, VGS @ 10V (See Fig. 9)  
28  
(Package Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
30  
150  
120  
DM  
P
@TC = 25°C  
Maximum Power Dissipation  
W
D
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
0.77  
± 16  
W/°C  
V
V
GS  
EAS  
180  
250  
mJ  
Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited)  
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value  
E
AS (tested)  
Avalanche Current  
IAR  
EAR  
See Fig.12a,12b,15,16  
A
Repetitive Avalanche Energy  
mJ  
Peak Diode Recovery dv/dt  
Operating Junction and  
dv/dt  
2.3  
V/ns  
°C  
T
J
-55 to + 175  
T
Storage Temperature Range  
STG  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
300 (1.6mm from case )  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
–––  
–––  
Max.  
1.3  
Units  
°C/W  
RθJC  
RθJA  
RθJA  
Junction-to-Case  
Junction-to-Ambient (PCB Mount)  
40  
Junction-to-Ambient  
110  
www.irf.com  
1
10/01/10  
1234567...11

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IRLR2908TRLPBF 替代型号

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