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IRLR2705TRPBF

更新时间： 2024-09-13 14:51:39
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 263K
描述
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 55V, 0.051ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3

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IRLR2705TRPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：0.66
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：110 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：28 A
最大漏极电流 (ID)：28 A最大漏源导通电阻：0.051 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：68 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：110 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRLR2705TRPBF 数据手册

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PD - 95062A  
IRLR2705PbF  
IRLU2705PbF  
l Logic-Level Gate Drive  
l Ultra Low On-Resistance  
l Surface Mount (IRLR2705)  
l Straight Lead (IRLU2705)  
l Advanced Process Technology  
l Fast Switching  
HEXFET® Power MOSFET  
D
VDSS = 55V  
RDS(on) = 0.040Ω  
G
l Fully Avalanche Rated  
l Lead-Free  
ID = 28Aꢀ  
S
Description  
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced  
processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per  
silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and  
ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for,  
provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide  
variety of applications.  
D-Pak  
TO-252AA  
I-Pak  
TO-251AA  
The D-PAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or  
wave soldering techniques. The straight lead version (IRFU series) is for  
through-hole mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 watts  
are possible in typical surface mount applications.  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
28  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current   
20  
A
110  
68  
PD @TC = 25°C  
PowerDissipation  
W
W/°C  
V
LinearDeratingFactor  
0.45  
± 16  
110  
16  
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-SourceVoltage  
Single Pulse Avalanche Energy‚  
AvalancheCurrent  
mJ  
A
EAR  
dv/dt  
TJ  
RepetitiveAvalancheEnergy  
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
OperatingJunctionand  
6.8  
mJ  
V/ns  
5.0  
-55 to + 175  
TSTG  
StorageTemperatureRange  
SolderingTemperature, for10seconds  
°C  
300 (1.6mm from case )  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
2.2  
50  
Units  
RθJC  
RθJA  
RθJA  
Case-to-Ambient(PCBmount)**  
Junction-to-Ambient  
–––  
°C/W  
–––  
110  
** When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material ) .  
For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994  
www.irf.com  
1
1/11/05  
1234567...11

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IRLR2705TRPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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 		种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:60V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
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