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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRLR2905ZPBF
IRLR2905ZPBF PDF预览

IRLR2905ZPBF

更新时间： 2024-09-13 04:23:07
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
11页 267K
描述
HEXFET Power MOSFET

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IRLR2905ZPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：6.85
其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE雪崩能效等级（Eas）：85 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：55 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：60 A
最大漏极电流 (ID)：42 A最大漏源导通电阻：0.0135 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：110 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：240 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRLR2905ZPBF 数据手册

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PD - 95774A  
IRLR2905ZPbF  
AUTOMOTIVE MOSFET  
IRLU2905ZPbF  
HEXFET® Power MOSFET  
Features  
D
l
l
l
l
l
l
l
Logic Level  
Advanced Process Technology  
Ultra Low On-Resistance  
175°C Operating Temperature  
Fast Switching  
VDSS = 55V  
RDS(on) = 13.5mΩ  
G
Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax  
Lead-Free  
ID = 42A  
S
Description  
Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET®  
Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to  
achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional  
features of this design are a 175°C junction operating tempera-  
ture, fast switching speed and improved repetitive avalanche  
rating . These features combine to make this design an extremely  
efficientandreliabledeviceforuseinAutomotiveapplicationsand  
a wide variety of other applications.  
D-Pak  
IRLR2905Z  
I-Pak  
IRLU2905Z  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
60  
Units  
(Silicon Limited)  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current  
I
I
I
I
@ T = 25°C  
C
D
D
D
@ T = 100°C  
C
43  
A
(Package Limited)  
@ T = 25°C  
C
42  
240  
110  
DM  
P
@T = 25°C  
Power Dissipation  
C
W
D
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy  
0.72  
± 16  
W/°C  
V
V
GS  
EAS (Thermally limited)  
57  
mJ  
Single Pulse Avalanche Energy Tested Value  
Avalanche Current  
EAS (Tested )  
85  
IAR  
See Fig.12a, 12b, 15, 16  
A
Repetitive Avalanche Energy  
EAR  
mJ  
T
J
Operating Junction and  
-55 to + 175  
T
Storage Temperature Range  
°C  
STG  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw  
300 (1.6mm from case )  
10 lbf in (1.1N m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
–––  
–––  
Max.  
1.38  
40  
Units  
Junction-to-Case  
Rθ  
Rθ  
Rθ  
JC  
JA  
JA  
Junction-to-Ambient (PCB mount)  
Junction-to-Ambient  
°C/W  
110  
HEXFET® is a registered trademark of International Rectifier.  
www.irf.com  
1
12/07/04  
1234567...11

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IRLR2905ZPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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 		Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 80V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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