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IRLR224

更新时间: 2024-11-26 05:15:03
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三星 - SAMSUNG 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 51K
描述
Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 250V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3

IRLR224 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.84
其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:250 V最大漏极电流 (ID):3.3 A
最大漏源导通电阻:1.3 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSSO-G2元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IRLR224 数据手册

  

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