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IRLR230ATF

更新时间： 2024-09-13 19:45:39
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 227K
描述
Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3

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IRLR230ATF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252包装说明：DPAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.83
雪崩能效等级（Eas）：37 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：7.5 A最大漏极电流 (ID)：7.5 A
最大漏源导通电阻：0.4 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：48 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：26 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRLR230ATF 数据手册

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IRLR/U230A  
FEATURES  
BVDSS = 200 V  
RDS(on) = 0.4Ω  
ID = 7.5 A  
Avalanche Rugged Technology  
Rugged Gate Oxide Technology  
Lower Input Capacitance  
♦
♦
♦
♦
♦
♦
♦
Improved Gate Charge  
Extended Safe Operating Area  
D-PAK  
I-PAK  
Lower Leakage Current: 10 A (Max.) @ VDS = 200V  
µ
Lower RDS(ON): 0.335 (Typ.)  
2
Ω
1
1
2
3
3
1. Gate 2. Drain 3. Source  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Characteristic  
Value  
200  
7.5  
Units  
VDSS  
Drain-to-Source Voltage  
V
Continuous Drain Current (TC=25°C)  
Continuous Drain Current (TC=100°C)  
Drain Current-Pulsed  
ID  
A
4.7  
IDM  
VGS  
EAS  
IAR  
(1)  
26  
A
V
Gate-to-Source Voltage  
20  
±
(2)  
(1)  
(1)  
(3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
37  
mJ  
A
7.5  
4.8  
5
EAR  
dv/dt  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
mJ  
V/ns  
W
*
Total Power Dissipation (TA=25°C)  
Total Power Dissipation (TC=25°C)  
Linear Derating Factor  
2.5  
48  
PD  
W
0.38  
W/°C  
Operating Junction and  
TJ , TSTG  
- 55 to +150  
300  
Storage Temperature Range  
°C  
Maximum Lead Temp. for Soldering  
Purposes, 1/8 from case for 5-seconds  
TL  
Thermal Resistance  
Symbol  
RθJC  
Characteristic  
Typ.  
Max.  
Units  
Junction-to-Case  
--  
--  
--  
2.6  
50  
RθJA  
*
Junction-to-Ambient  
Junction-to-Ambient  
°C/W  
RθJA  
110  
When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount).  
*
Rev. B  
©1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
1
1234567

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IRLR230ATF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDD7N20TM ONSEMI

功能相似

 功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM， 200 V，5 A，690 mΩ，DPA
BSP297 INFINEON

功能相似

 SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level)

与IRLR230ATF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRLR230ATM FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
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