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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 150 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4 A | 最大漏极电流 (ID)： | 4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 42 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 42 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 16 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 115 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 100 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRLR224 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 250V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRLR230 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 7.5A I(D) | TO-252AA |
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| IRLR230A | FAIRCHILD |
获取价格 |
ADVANCED POWER MOSFET |
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| IRLR230ATF | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRLR230ATM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRLR2703 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET |
|
| IRLR2703PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRLR2703TR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRLR2703TRLPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRLR2703TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
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