5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-252 | 包装说明： | DPAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.35 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 28 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4.6 A | 最大漏极电流 (ID)： | 4.6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.8 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 33 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 16 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| FDD7N20TM | ONSEMI |
功能相似  |
功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM， 200 V，5 A，690 mΩ，DPA |
|
| FQD4N20TM | FAIRCHILD |
功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| BSP297 | INFINEON |
功能相似 |
SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level) |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRLR220ATM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRLR221 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 150V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| IRLR224 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 250V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRLR230 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 7.5A I(D) | TO-252AA |
|
| IRLR230A | FAIRCHILD |
获取价格 |
ADVANCED POWER MOSFET |
|
| IRLR230ATF | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRLR230ATM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRLR2703 | INFINEON |
获取价格 |
POWER MOSFET |
|
| IRLR2703PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRLR2703TR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
