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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 15 weeks |
| 风险等级： | 0.63 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 85 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 10 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 10 A | 最大漏源导通电阻： | 0.225 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252AA |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 48 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 35 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| AUIRLR120NTRR | INFINEON |
完全替代  |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRLR120NTRLPBF | INFINEON |
类似代替 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.225ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRLR120NPBF | INFINEON |
类似代替 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRLR120PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRLR120PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRLR120TRL | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRLR120TRLPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRLR120TRPBF | VISHAY |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
|
| IRLR120TRRPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRLR121 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7.9A I(D), 80V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRLR130A | FAIRCHILD |
获取价格 |
ADVANCED POWER MOSFET |
|
| IRLR130ATF | ROCHESTER |
获取价格 |
13A, 100V, 0.12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 |
|
| IRLR130ATM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
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