IRLR120PBF

更新时间： 2024-02-18 14:21:13

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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描述
Power MOSFET

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IRLR120PBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-252AA
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	6 weeks	风险等级：	5.04
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7.7 A
最大漏极电流 (ID)：	7.7 A	最大漏源导通电阻：	0.27 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	42 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	35 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRLR120PBF 数据手册

IRLR120, IRLU120, SiHLR120, SiHLU120

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

100

Available

• Repetitive Avalanche Rated

0.27

_DS(on)(Ω)

V_GS= 5.0 V

RoHS*

• Surface Mount (IRLR120/SiHLR120)

COMPLIANT

Q_g(Max.) (nC)

3.0

7.1

• Straight Lead (IRLU120/SiHLU120)

• Available in Tape and Reel

• Logic-Level Gate Drive

_gs(nC)

_gd(nC)

Configuration

Single

• R_DS(on)Specified at V_GS= 4 V and 5 V

• Lead (Pb)-free Available

DPAK

(TO-252)

IPAK

(TO-251)

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The DPAK is designed for surface mounting using vapor

phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight

lead version (IRLU/SiHLU series) is for through-hole

mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W

are possible in typical surface mount applications.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252)

IRLR120PbF

SiHLR120-E3

IRLR120

DPAK (TO-252)

IRLR120TRLPbF^a

SiHLR120TL-E3^a

IRLR120TRL^a

DPAK (TO-252)

IRLR120TRPbF^a

SiHLR120T-E3^a

IRLR120TR^a

DPAK (TO-252)

IRLR120TRRPbF^a

SiHLR120TR-E3^a

IPAK (TO-251)

IRLU120PbF

Lead (Pb)-free

SiHLU120-E3

SnPb

SiHLR120

SiHLR120TL^a

SiHLR120T^a

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

SYMBOL

LIMIT

100

UNIT

V_DS

V_GS

_C= 25 °C

7.7

Continuous Drain Current

V_GSat 5.0 V

I_D

T_C=100°C

4.9

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.33

0.020

210

7.7

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

E_AS

I_AR

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AR

4.2

Maximum Power Dissipation

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

Peak Diode Recovery dV/dt^c

T_C= 25 °C

P_D

V/ns

°C

T_A= 25 °C

2.5

dV/dt

5.5

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

T_J, T_stg

- 55 to + 150

260^d

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 25 V, starting T_J= 25 °C, L = 5.3 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 7.7 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 9.2 A, dI/dt ≤ 110 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91324

S-81292-Rev. A, 16-Jun-08

www.vishay.com

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRLR120TRL	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRLR120TRLPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRLR120TRPBF	VISHAY	获取价格	Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
IRLR120TRRPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRLR121	SAMSUNG	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7.9A I(D), 80V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRLR130A	FAIRCHILD	获取价格	ADVANCED POWER MOSFET
IRLR130ATF	ROCHESTER	获取价格	13A, 100V, 0.12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3
IRLR130ATM	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRLR210	FAIRCHILD	获取价格	ADVANCED POWER MOSFET
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