是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-252AA |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
Factory Lead Time: | 6 weeks | 风险等级: | 5.04 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE |
最小漏源击穿电压: | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 7.7 A |
最大漏极电流 (ID): | 7.7 A | 最大漏源导通电阻: | 0.27 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-252AA |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 42 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 35 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRLR120TRL | VISHAY |
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Power MOSFET |
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IRLR120TRLPBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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IRLR120TRPBF | VISHAY |
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Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IRLR120TRRPBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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IRLR121 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 7.9A I(D), 80V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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IRLR130A | FAIRCHILD |
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ADVANCED POWER MOSFET |
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IRLR130ATF | ROCHESTER |
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13A, 100V, 0.12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 |
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IRLR130ATM | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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IRLR210 | FAIRCHILD |
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ADVANCED POWER MOSFET |
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IRLR210A | FAIRCHILD |
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ADVANCED POWER MOSFET |
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