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IRLR120TRPBF

更新时间： 2024-02-29 15:57:33

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威世 - VISHAY		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	1280K
描述
Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IRLR120TRPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-252	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	0.49
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	210 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7.7 A
最大漏极电流 (ID)：	7.7 A	最大漏源导通电阻：	0.27 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	42 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	31 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRLR120TRPBF 数据手册

IRLR120, IRLU120, SiHLR120, SiHLU120

www.vishay.com

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

_DS(on)()

Q_g(Max.) (nC)

100

• Repetitive Avalanche Rated

0.27

V_GS= 5.0 V

• Surface Mount (IRLR120, SiHLR120)

3.0

• Straight Lead (IRLU120, SiHLU120)

• Available in Tape and Reel

_gs(nC)

_gd(nC)

7.1

• Logic-Level Gate Drive

Configuration

Single

• R_DS(on)Specified at V_GS= 4 V and 5 V

• Material categorization: For definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

DPAK

(TO-252)

IPAK

(TO-251)

DESCRIPTION

Third generation power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The DPAK is designed for surface mounting using vapor

phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight

lead version (IRLU, SiHLU series) is for through-hole

mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W

are possible in typical surface mount applications.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252)

SiHLR120TR-GE3

IRLR120TRPbF^a

SiHLR120T-E3^a

DPAK (TO-252)

IPAK (TO-251)

Lead (Pb)-free and Halogen-free

SiHLR120-GE3

IRLR120PbF

SiHLR120-E3

SiHLR120TRL-GE3

IRLR120TRLPbF^a

SiHLR120TL-E3^a

SiHLR120TRR-GE3 SiHLU120-GE3

IRLR120TRRPbF^a

SiHLR120TR-E3^a

IRLU120PbF

SiHLU120-E3

Lead (Pb)-free

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= 25 °C, unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

100

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

_C= 25 °C

7.7

Continuous Drain Current

V_GSat 5.0 V

I_D

T_C= 100 °C

4.9

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.33

0.020

210

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

E_AS

I_AR

7.7

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AR

4.2

Maximum Power Dissipation

_C= 25 °C

P_D

V/ns

°C

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

Peak Diode Recovery dV/dt^c

T_A= 25 °C

2.5

dV/dt

5.5

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)^d

T_J, T_stg

- 55 to + 150

260

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 25 V, starting T_J= 25 °C, L = 5.3 mH, R_g= 25 , I_AS= 7.7 A (see fig. 12).

c. I_SD 9.2 A, dI/dt  110 A/μs, V_DD V_DS, T_J 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).

S13-0167-Rev. D, 04-Feb-13

Document Number: 91324

For technical questions, contact: hvm@vishay.com

THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT

ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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与IRLR120TRPBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRLR120TRRPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRLR121	SAMSUNG	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7.9A I(D), 80V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRLR130A	FAIRCHILD	获取价格	ADVANCED POWER MOSFET
IRLR130ATF	ROCHESTER	获取价格	13A, 100V, 0.12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3
IRLR130ATM	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRLR210	FAIRCHILD	获取价格	ADVANCED POWER MOSFET
IRLR210A	FAIRCHILD	获取价格	ADVANCED POWER MOSFET
IRLR210ATM	ROCHESTER	获取价格	2.7A, 200V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3
IRLR210ATM	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRLR211	SAMSUNG	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 150V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal

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