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IRLR120TRRPBF

更新时间： 2024-01-14 00:20:41

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
8页	613K
描述
Power MOSFET

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IRLR120TRRPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-252	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.18
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	210 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7.7 A	最大漏极电流 (ID)：	7.7 A
最大漏源导通电阻：	0.27 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	42 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	31 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRLR120TRRPBF 数据手册

IRLR120, IRLU120, SiHLR120, SiHLU120

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

100

Available

• Repetitive Avalanche Rated

0.27

_DS(on)(Ω)

V_GS= 5.0 V

RoHS*

• Surface Mount (IRLR120/SiHLR120)

COMPLIANT

Q_g(Max.) (nC)

3.0

7.1

• Straight Lead (IRLU120/SiHLU120)

• Available in Tape and Reel

• Logic-Level Gate Drive

_gs(nC)

_gd(nC)

Configuration

Single

• R_DS(on)Specified at V_GS= 4 V and 5 V

• Lead (Pb)-free Available

DPAK

(TO-252)

IPAK

(TO-251)

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The DPAK is designed for surface mounting using vapor

phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight

lead version (IRLU/SiHLU series) is for through-hole

mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W

are possible in typical surface mount applications.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252)

IRLR120PbF

SiHLR120-E3

IRLR120

DPAK (TO-252)

IRLR120TRLPbF^a

SiHLR120TL-E3^a

IRLR120TRL^a

DPAK (TO-252)

IRLR120TRPbF^a

SiHLR120T-E3^a

IRLR120TR^a

DPAK (TO-252)

IRLR120TRRPbF^a

SiHLR120TR-E3^a

IPAK (TO-251)

IRLU120PbF

Lead (Pb)-free

SiHLU120-E3

SnPb

SiHLR120

SiHLR120TL^a

SiHLR120T^a

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

SYMBOL

LIMIT

100

UNIT

V_DS

V_GS

_C= 25 °C

7.7

Continuous Drain Current

V_GSat 5.0 V

I_D

T_C=100°C

4.9

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.33

0.020

210

7.7

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

E_AS

I_AR

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AR

4.2

Maximum Power Dissipation

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

Peak Diode Recovery dV/dt^c

T_C= 25 °C

P_D

V/ns

°C

T_A= 25 °C

2.5

dV/dt

5.5

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

T_J, T_stg

- 55 to + 150

260^d

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 25 V, starting T_J= 25 °C, L = 5.3 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 7.7 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 9.2 A, dI/dt ≤ 110 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91324

S-81292-Rev. A, 16-Jun-08

www.vishay.com

12 3 4 5 6 7 8

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与IRLR120TRRPBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRLR121	SAMSUNG	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 7.9A I(D), 80V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRLR130A	FAIRCHILD	获取价格	ADVANCED POWER MOSFET
IRLR130ATF	ROCHESTER	获取价格	13A, 100V, 0.12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3
IRLR130ATM	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRLR210	FAIRCHILD	获取价格	ADVANCED POWER MOSFET
IRLR210A	FAIRCHILD	获取价格	ADVANCED POWER MOSFET
IRLR210ATM	ROCHESTER	获取价格	2.7A, 200V, 1.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3
IRLR210ATM	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRLR211	SAMSUNG	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 150V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRLR220	SAMSUNG	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal

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