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IRLR120ATM

更新时间： 2024-02-12 04:10:56

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	223K
描述
Power Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3

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IRLR120ATM 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-252	包装说明：	DPAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.26
雪崩能效等级（Eas）：	94 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8.4 A	最大漏极电流 (ID)：	8.4 A
最大漏源导通电阻：	0.22 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	42 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	29 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRLR120ATM 数据手册

IRLR/U120A

FEATURES

BV_DSS= 100 V

R_DS(on)= 0.22Ω

I_D= 8.4 A

Avalanche Rugged Technology

Rugged Gate Oxide Technology

Lower Input Capacitance

♦

Improved Gate Charge

Extended Safe Operating Area

D-PAK

I-PAK

Lower Leakage Current: 10 A (Max.) @ V_DS= 100V

Lower R_DS(ON): 0.176 (Typ.)

Ω

1. Gate 2. Drain 3. Source

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Characteristic

Value

100

8.4

Units

V_DSS

Drain-to-Source Voltage

Continuous Drain Current (T_C=25°C)

Continuous Drain Current (T_C=100°C)

Drain Current-Pulsed

I_D

I_DM

V_GS

E_AS

I_AR

(1)

Gate-to-Source Voltage

(2)

(1)

(3)

Single Pulsed Avalanche Energy

Avalanche Current

8.4

3.5

6.5

2.5

E_AR

dv/dt

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt

V/ns

Total Power Dissipation (T_A=25°C)

Total Power Dissipation (T_C=25°C)

Linear Derating Factor

P_D

0.28

W/°C

Operating Junction and

T_J, T_STG

- 55 to +150

300

Storage Temperature Range

°C

Maximum Lead Temp. for Soldering

Purposes, 1/8 from case for 5-seconds

T_L

Thermal Resistance

Symbol

R_θJC

Characteristic

Typ.

Max.

Units

Junction-to-Case

3.5

R_θJA

Junction-to-Ambient

°C/W

R_θJA

110

When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount).

Rev. B

12 3 4 5 6 7

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IRLR120ATM 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRLR120NTRLPBF	INFINEON	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.225ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRLR120NTRPBF	INFINEON	功能相似	Surface Mount (IRLR120N)
IRLR120NPBF	INFINEON	功能相似	HEXFET㈢ Power MOSFET

与IRLR120ATM相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRLR120N	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.185ohm, Id=10A)
IRLR120NPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢ Power MOSFET
IRLR120NTR	INFINEON	获取价格	Advanced Process Technology
IRLR120NTR	UMW	获取价格	种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:100V;持续漏极电流（Id）（在25°C
IRLR120NTRLPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.225ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRLR120NTRPBF	INFINEON	获取价格	Surface Mount (IRLR120N)
IRLR120PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRLR120PBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRLR120TRL	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRLR120TRLPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET

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