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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRLR120A
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IRLR120A

更新时间： 2024-11-24 22:23:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
7页 227K
描述
ADVANCED POWER MOSFET

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IRLR120A 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.26
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：94 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：8.4 A
最大漏极电流 (ID)：8.4 A最大漏源导通电阻：0.22 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：42 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：29 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRLR120A 数据手册

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IRLR/U120A  
FEATURES  
BVDSS = 100 V  
RDS(on) = 0.22Ω  
ID = 8.4 A  
Avalanche Rugged Technology  
Rugged Gate Oxide Technology  
Lower Input Capacitance  
♦
♦
♦
♦
♦
♦
♦
Improved Gate Charge  
Extended Safe Operating Area  
D-PAK  
I-PAK  
Lower Leakage Current: 10 A (Max.) @ VDS = 100V  
µ
Lower RDS(ON): 0.176 (Typ.)  
2
Ω
1
1
2
3
3
1. Gate 2. Drain 3. Source  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Characteristic  
Value  
100  
8.4  
5
Units  
VDSS  
Drain-to-Source Voltage  
V
Continuous Drain Current (TC=25°C)  
Continuous Drain Current (TC=100°C)  
Drain Current-Pulsed  
ID  
A
IDM  
VGS  
EAS  
IAR  
(1)  
29  
A
V
Gate-to-Source Voltage  
20  
±
(2)  
(1)  
(1)  
(3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
94  
mJ  
A
8.4  
3.5  
6.5  
2.5  
35  
EAR  
dv/dt  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
mJ  
V/ns  
W
*
Total Power Dissipation (TA=25°C)  
Total Power Dissipation (TC=25°C)  
Linear Derating Factor  
PD  
W
0.28  
W/°C  
Operating Junction and  
TJ , TSTG  
- 55 to +150  
300  
Storage Temperature Range  
°C  
Maximum Lead Temp. for Soldering  
Purposes, 1/8 from case for 5-seconds  
TL  
Thermal Resistance  
Symbol  
RθJC  
Characteristic  
Typ.  
Max.  
Units  
Junction-to-Case  
--  
--  
--  
3.5  
50  
RθJA  
*
Junction-to-Ambient  
Junction-to-Ambient  
°C/W  
RθJA  
110  
When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount).  
*
Rev. B  
©1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
1
1234567

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与IRLR120A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRLR120ATF FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRLR120ATM FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRLR120N INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.185ohm, Id=10A)
IRLR120NPBF INFINEON

获取价格

 		HEXFET㈢ Power MOSFET
IRLR120NTR INFINEON

获取价格

 		Advanced Process Technology
IRLR120NTR UMW

获取价格

 		种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:100V;持续漏极电流（Id）（在25°C
IRLR120NTRLPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.225ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRLR120NTRPBF INFINEON

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 		Surface Mount (IRLR120N)
IRLR120PBF INFINEON

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 		HEXFET Power MOSFET
IRLR120PBF VISHAY

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 		Power MOSFET

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