IRLR110PBF

更新时间： 2024-11-25 05:39:31

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
8页	2095K
描述
Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRLR110PBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-252AA
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	6 weeks	风险等级：	1.13
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.3 A
最大漏极电流 (ID)：	4.3 A	最大漏源导通电阻：	0.54 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	19 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRLR110PBF 数据手册

IRLR110, IRLU110, SiHLR110, SiHLU110

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

100

Available

• Repetitive Avalanche Rated

0.54

_DS(on)(Ω)

V_GS= 5.0 V

RoHS*

• Surface Mount (IRLR110/SiHLR110)

COMPLIANT

Q_g(Max.) (nC)

6.1

2.0

3.3

• Straight Lead (IRLU110/SiHLU110)

• Available in Tape and Reel

• Logic-Level Gate Drive

_gs(nC)

_gd(nC)

Configuration

Single

• R_DS(on)Specified at V_GS= 4 V and 5 V

• Lead (Pb)-free Available

DPAK

(TO-252)

IPAK

(TO-251)

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The DPAK is designed for surface mounting using vapor

phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight

lead version (IRLU/SiHLU series) is for through-hole

mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W

are possible in typical surface mount applications.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252)

IPAK (TO-251)

IRLU110PbF

SiHLU110-E3

IRLU110

IRLR110PbF

SiHLR110-E3

IRLR110

IRLR110TRLPbF^a

SiHLR110TL-E3^a

IRLR110TRL^a

Lead (Pb)-free

IRLR110TR^a

SiHLR110T^a

SnPb

SiHLR110

SiHLR110TL^a

SiHLU110

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

100

V_GS

_C= 25 °C

4.3

Continuous Drain Current

V_GSat 5.0 V

I_D

T_C=100°C

2.7

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.20

0.020

100

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

E_AS

I_AR

4.3

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AR

2.5

Maximum Power Dissipation

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

Peak Diode Recovery dV/dt^c

T_C= 25 °C

P_D

V/ns

°C

T_A= 25 °C

2.5

dV/dt

5.5

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

T_J, T_stg

- 55 to + 150

260^d

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 25 V, starting T_J= 25 °C, L = 8.1 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 4.3 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 5.6 A, dI/dt ≤ 140 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91323

S-81304-Rev. A, 16-Jun-08

www.vishay.com

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

IRLR110PBF 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRLR110TRPBF	VISHAY	完全替代	Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
STD6NF10T4	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-channel 100 V, 0.22 Ω, 6 A, DPAK, IPAK low

与IRLR110PBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRLR110TR	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRLR110TRL	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRLR110TRLPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRLR110TRPBF	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRLR110TRR	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRLR110TRR	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRLR111	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 80V V(BR)DSS \| 4A I(D) \| TO-252
IRLR120	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRLR120	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRLR120, IRLU120, SiHLR120, SiHLU120	VISHAY	获取价格	Power MOSFET

与IRLR110PBF相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

40
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

32
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

60
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

56

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRLR110PBF

IRLR110PBF 技术参数

IRLR110PBF 数据手册

IRLR110PBF 替代型号

与IRLR110PBF相关器件

与IRLR110PBF相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRLR110PBF

IRLR110PBF 技术参数

IRLR110PBF 数据手册

IRLR110PBF 替代型号

与IRLR110PBF相关器件

与IRLR110PBF相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？