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IRLR110TRLPBF

更新时间： 2024-10-01 05:39:31

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威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
8页	2095K
描述
Power MOSFET

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IRLR110TRLPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-252
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.18	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	100 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	4.3 A	最大漏源导通电阻：	0.54 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	17 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRLR110TRLPBF 数据手册

IRLR110, IRLU110, SiHLR110, SiHLU110

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

100

Available

• Repetitive Avalanche Rated

0.54

_DS(on)(Ω)

V_GS= 5.0 V

RoHS*

• Surface Mount (IRLR110/SiHLR110)

COMPLIANT

Q_g(Max.) (nC)

6.1

2.0

3.3

• Straight Lead (IRLU110/SiHLU110)

• Available in Tape and Reel

• Logic-Level Gate Drive

_gs(nC)

_gd(nC)

Configuration

Single

• R_DS(on)Specified at V_GS= 4 V and 5 V

• Lead (Pb)-free Available

DPAK

(TO-252)

IPAK

(TO-251)

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The DPAK is designed for surface mounting using vapor

phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight

lead version (IRLU/SiHLU series) is for through-hole

mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W

are possible in typical surface mount applications.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252)

IPAK (TO-251)

IRLU110PbF

SiHLU110-E3

IRLU110

IRLR110PbF

SiHLR110-E3

IRLR110

IRLR110TRLPbF^a

SiHLR110TL-E3^a

IRLR110TRL^a

Lead (Pb)-free

IRLR110TR^a

SiHLR110T^a

SnPb

SiHLR110

SiHLR110TL^a

SiHLU110

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

100

V_GS

_C= 25 °C

4.3

Continuous Drain Current

V_GSat 5.0 V

I_D

T_C=100°C

2.7

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.20

0.020

100

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

E_AS

I_AR

4.3

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AR

2.5

Maximum Power Dissipation

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

Peak Diode Recovery dV/dt^c

T_C= 25 °C

P_D

V/ns

°C

T_A= 25 °C

2.5

dV/dt

5.5

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

T_J, T_stg

- 55 to + 150

260^d

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 25 V, starting T_J= 25 °C, L = 8.1 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 4.3 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 5.6 A, dI/dt ≤ 140 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91323

S-81304-Rev. A, 16-Jun-08

www.vishay.com

12 3 4 5 6 7 8

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与IRLR110TRLPBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRLR110TRPBF	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRLR110TRR	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRLR110TRR	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRLR111	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 80V V(BR)DSS \| 4A I(D) \| TO-252
IRLR120	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRLR120	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRLR120, IRLU120, SiHLR120, SiHLU120	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRLR120A	FAIRCHILD	获取价格	ADVANCED POWER MOSFET
IRLR120ATF	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRLR120ATM	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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