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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRLR120 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRLR120 | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRLR120, IRLU120, SiHLR120, SiHLU120 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRLR120A | FAIRCHILD |
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ADVANCED POWER MOSFET |
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| IRLR120ATF | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRLR120ATM | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRLR120N | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.185ohm, Id=10A) |
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| IRLR120NPBF | INFINEON |
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HEXFET㈢ Power MOSFET |
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| IRLR120NTR | INFINEON |
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Advanced Process Technology |
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| IRLR120NTR | UMW |
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种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:100V;持续漏极电流（Id）（在25°C |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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