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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-252 |
| 包装说明： | DPAK-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.26 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 58 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 4.7 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.44 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 16 A | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRLR110ATM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 100V, 0.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IRLR110PBF | INFINEON |
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HEXFET㈢ Power MOSFET |
|
| IRLR110PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRLR110TR | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRLR110TRL | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRLR110TRLPBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
|
| IRLR110TRPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRLR110TRR | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| IRLR110TRR | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRLR111 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-252 |
|
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