IRLR110

更新时间： 2024-10-01 05:39:31

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
8页	2095K
描述
Power MOSFET

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IRLR110 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-252AA
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.07	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	雪崩能效等级（Eas）：	100 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.3 A
最大漏极电流 (ID)：	4.3 A	最大漏源导通电阻：	0.54 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	25 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	17 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRLR110 数据手册

IRLR110, IRLU110, SiHLR110, SiHLU110

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

100

Available

• Repetitive Avalanche Rated

0.54

_DS(on)(Ω)

V_GS= 5.0 V

RoHS*

• Surface Mount (IRLR110/SiHLR110)

COMPLIANT

Q_g(Max.) (nC)

6.1

2.0

3.3

• Straight Lead (IRLU110/SiHLU110)

• Available in Tape and Reel

• Logic-Level Gate Drive

_gs(nC)

_gd(nC)

Configuration

Single

• R_DS(on)Specified at V_GS= 4 V and 5 V

• Lead (Pb)-free Available

DPAK

(TO-252)

IPAK

(TO-251)

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The DPAK is designed for surface mounting using vapor

phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight

lead version (IRLU/SiHLU series) is for through-hole

mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W

are possible in typical surface mount applications.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252)

IPAK (TO-251)

IRLU110PbF

SiHLU110-E3

IRLU110

IRLR110PbF

SiHLR110-E3

IRLR110

IRLR110TRLPbF^a

SiHLR110TL-E3^a

IRLR110TRL^a

Lead (Pb)-free

IRLR110TR^a

SiHLR110T^a

SnPb

SiHLR110

SiHLR110TL^a

SiHLU110

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

100

V_GS

_C= 25 °C

4.3

Continuous Drain Current

V_GSat 5.0 V

I_D

T_C=100°C

2.7

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.20

0.020

100

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

E_AS

I_AR

4.3

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AR

2.5

Maximum Power Dissipation

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

Peak Diode Recovery dV/dt^c

T_C= 25 °C

P_D

V/ns

°C

T_A= 25 °C

2.5

dV/dt

5.5

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

T_J, T_stg

- 55 to + 150

260^d

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 25 V, starting T_J= 25 °C, L = 8.1 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 4.3 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 5.6 A, dI/dt ≤ 140 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91323

S-81304-Rev. A, 16-Jun-08

www.vishay.com

12 3 4 5 6 7 8

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与IRLR110相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRLR110, IRLU110, SiHLR110, SiHLU110	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRLR110A	FAIRCHILD	获取价格	ADVANCED POWER MOSFET
IRLR110ATF	ROCHESTER	获取价格	4.7A, 100V, 0.44ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3
IRLR110ATM	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 100V, 0.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRLR110PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢ Power MOSFET
IRLR110PBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRLR110TR	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRLR110TRL	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRLR110TRLPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRLR110TRPBF	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 100V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

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