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IRLR024TRLPBF

更新时间： 2024-10-01 21:19:03
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 459K
描述
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3

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IRLR024TRLPBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-252AA
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：12 weeks风险等级：5.07
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级（Eas）：91 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：14 A
最大漏极电流 (ID)：14 A最大漏源导通电阻：0.1 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：42 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：56 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRLR024TRLPBF 数据手册

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IRLR024, IRLU024, SiHLR024, SiHLU024  
www.vishay.com  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
• Dynamic dV/dt rating  
VDS (V)  
DS(on) ()  
Qg (Max.) (nC)  
60  
• Surface mount (IRLR024, SiHLR024)  
R
VGS = 5.0 V  
0.10  
• Straight lead (IRLU024, SiHLU024)  
• Available in tape and reel  
18  
4.5  
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
Available  
• Logic-level gate drive  
Q
12  
• RDS(on) specified at VGS = 4 V and 5 V  
• Fast switching  
Configuration  
Single  
D
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
DPAK  
IPAK  
(TO-252)  
(TO-251)  
DESCRIPTION  
D
Third generation power MOSFETs from Vishay provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and  
cost-effectiveness.  
The DPAK is designed for surface mounting using vapor  
phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight  
lead version (IRLU, SiHLU series) is for through-hole  
mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W  
are possible in typical surface mount applications.  
D
G
S
G
S
D
G
S
N-Channel MOSFET  
ORDERING INFORMATION  
Package  
DPAK (TO-252)  
-
DPAK (TO-252)  
DPAK (TO-252)  
SiHLR024TR-GE3  
IRLR024TRPbF a  
SiHLR024T-E3 a  
IPAK (TO-251)  
SiHLU024-GE3  
IRLU024PbF  
SiHLU024-E3  
Lead (Pb)-free and Halogen-free  
SiHLR024TRL-GE3  
IRLR024PbF  
SiHLR024-E3  
-
-
Lead (Pb)-free  
Note  
a. See device orientation.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C, unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
60  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
VGS  
V
10  
T
C = 25 °C  
14  
Continuous Drain Current  
VGS at 5.0 V  
ID  
TC = 100 °C  
9.2  
A
Pulsed Drain Current a  
IDM  
56  
Linear Derating Factor  
0.33  
0.020  
53  
W/°C  
mJ  
Linear Derating Factor (PCB Mount) e  
Single Pulse Avalanche Energy b  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation (PCB Mount) e  
Peak Diode Recovery dV/dt c  
EAS  
PD  
T
C = 25 °C  
42  
W
TA = 25 °C  
2.5  
dV/dt  
4.5  
V/ns  
°C  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature) d  
TJ, Tstg  
-55 to +150  
260  
for 10 s  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. VDD = 25 V, starting TJ = 25 °C, L = 541 μH, Rg = 25 , IAS = 14 A (see fig. 12).  
c. ISD 17 A, dI/dt 140 A/μs, VDD VDS, TJ 150 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).  
S14-1677-Rev. E, 18-Aug-14  
Document Number: 91322  
1
For technical questions, contact: hvm@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567...11

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IRLR024TRLPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRLR024TRPBF VISHAY

完全替代

 Power MOSFET
IRLR024PBF VISHAY

类似代替

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRLR024TRPBF VISHAY

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