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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRLR024TRPBF
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IRLR024TRPBF

更新时间： 2024-11-09 05:39:31
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
8页 1390K
描述
Power MOSFET

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IRLR024TRPBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-252
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：6.91Is Samacsys：N
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级（Eas）：91 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：14 A
最大漏源导通电阻：0.1 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：56 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRLR024TRPBF 数据手册

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IRLR024, IRLU024, SiHLR024, SiHLU024  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
• Dynamic dV/dt Rating  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
60  
Available  
• Surface Mount (IRLR024/SiHLR024)  
0.10  
R
DS(on) (Ω)  
VGS = 5.0 V  
RoHS*  
• Straight Lead (IRLU024/SiHLU024)  
COMPLIANT  
Qg (Max.) (nC)  
18  
4.5  
12  
• Available in Tape and Reel  
• Logic-Level Gate Drive  
• RDS(on) Specified at VGS = 4 V and 5 V  
• Fast Switching  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
Configuration  
Single  
D
• Lead (Pb)-free Available  
DPAK  
(TO-252)  
IPAK  
(TO-251)  
DESCRIPTION  
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and  
cost-effectiveness.  
G
The DPAK is designed for surface mounting using vapor  
phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight  
lead version (IRLU/SiHLU series) is for through-hole  
mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W  
are possible in typical surface mount applications.  
S
N-Channel MOSFET  
ORDERING INFORMATION  
Package  
DPAK (TO-252)  
DPAK (TO-252)  
IRLR024TRPbFa  
SiHLR024T-E3a  
IRLR024TRa  
IPAK (TO-251)  
IRLU024PbF  
SiHLU024-E3  
IRLU024  
IRLR024PbF  
Lead (Pb)-free  
SiHLR024-E3  
IRLR024  
SnPb  
SiHLR024  
SiHLR024Ta  
SiHLU024  
Note  
a. See device orientation.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 °C, unless otherwise noted  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
60  
10  
V
VGS  
TC = 25 °C  
TC =100°C  
14  
Continuous Drain Current  
V
GS at 5.0 V  
ID  
9.2  
A
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
56  
Linear Derating Factor  
0.33  
0.020  
91  
W/°C  
mJ  
Linear Derating Factor (PCB Mount)e  
Single Pulse Avalanche Energyb  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation (PCB Mount)e  
Peak Diode Recovery dV/dtc  
EAS  
PD  
T
C = 25 °C  
42  
W
TA = 25 °C  
2.5  
dV/dt  
4.5  
V/ns  
°C  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
TJ, Tstg  
- 55 to + 150  
260d  
for 10 s  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. VDD = 25 V, starting TJ = 25 °C, L = 541 µH, RG = 25 Ω, IAS = 14 A (see fig. 12).  
c. ISD ≤ 17 A, dI/dt ≤ 140 A/µs, VDD ≤ VDS, TJ ≤ 150 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 91322  
S-81431-Rev. A, 21-Jul-08  
www.vishay.com  
1
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IRLR024TRPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STD12NF06LT4 STMICROELECTRONICS

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 N-channel 60V - 0.08з - 12A - DPAK - IPAK STr
NID6002NT4G ONSEMI

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 Self−Protected FET with Temperature and Current Limit
FDD3N40TM FAIRCHILD

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