IRLR024TR

更新时间： 2024-02-15 17:29:14

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威世 - VISHAY		/
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8页	1390K
描述
Power MOSFET

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IRLR024TR 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	End Of Life
包装说明：	LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.12
其他特性：	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE	雪崩能效等级（Eas）：	25 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	55 V	最大漏极电流 (ID)：	16 A
最大漏源导通电阻：	0.058 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	64 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN OVER NICKEL	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRLR024TR 数据手册

IRLR024, IRLU024, SiHLR024, SiHLU024

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

Available

• Surface Mount (IRLR024/SiHLR024)

0.10

_DS(on)(Ω)

V_GS= 5.0 V

RoHS*

• Straight Lead (IRLU024/SiHLU024)

COMPLIANT

Q_g(Max.) (nC)

4.5

• Available in Tape and Reel

• Logic-Level Gate Drive

• R_DS(on)Specified at V_GS= 4 V and 5 V

• Fast Switching

_gs(nC)

_gd(nC)

Configuration

Single

• Lead (Pb)-free Available

DPAK

(TO-252)

IPAK

(TO-251)

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The DPAK is designed for surface mounting using vapor

phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight

lead version (IRLU/SiHLU series) is for through-hole

mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W

are possible in typical surface mount applications.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252)

IRLR024TRPbF^a

SiHLR024T-E3^a

IRLR024TR^a

IPAK (TO-251)

IRLU024PbF

SiHLU024-E3

IRLU024

IRLR024PbF

Lead (Pb)-free

SiHLR024-E3

IRLR024

SnPb

SiHLR024

SiHLR024T^a

SiHLU024

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

T_C= 25 °C

T_C=100°C

Continuous Drain Current

_GSat 5.0 V

I_D

9.2

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.33

0.020

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Maximum Power Dissipation

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

Peak Diode Recovery dV/dt^c

E_AS

P_D

_C= 25 °C

T_A= 25 °C

2.5

dV/dt

4.5

V/ns

°C

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

T_J, T_stg

- 55 to + 150

260^d

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 25 V, starting T_J= 25 °C, L = 541 µH, R_G= 25 Ω, I_AS= 14 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 17 A, dI/dt ≤ 140 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91322

S-81431-Rev. A, 21-Jul-08

www.vishay.com

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与IRLR024TR相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRLR024TRL	VISHAY	获取价格	Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
IRLR024TRLPBF	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRLR024TRPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRLR024TRR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRLR024TRRPBF	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRLR024Z	INFINEON	获取价格	AUTOMOTIVE MOSFET
IRLR024ZPBF	INFINEON	获取价格	AUTOMOTIVE MOSFET
IRLR024ZTRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 55V, 0.058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRLR024ZTRR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 55V, 0.058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRLR034A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 23A I(D) \| TO-252AA

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