是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | TO-252 | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
风险等级: | 5.17 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 雪崩能效等级(Eas): | 27.4 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 7.7 A |
最大漏极电流 (ID): | 7.7 A | 最大漏源导通电阻: | 0.2 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-252 |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 25 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 31 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRLR014TRPBF | VISHAY |
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Power MOSFET | |
IRLR020 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 14A I(D) | TO-252 | |
IRLR024 | INFINEON |
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5-BIT PROGRAMMABLE SYNCHRONOUS BUCK, NON-SYNCHRONOUS,ADJUSTABLE LDO AND 200mA ON-BOARD LDO | |
IRLR024 | VISHAY |
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Power MOSFET | |
IRLR024 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
IRLR024, IRLU024, SiHLR024, SiHLU024 | VISHAY |
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Power MOSFET | |
IRLR024_09 | VISHAY |
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Power MOSFET | |
IRLR024A | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-252AA | |
IRLR024N | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET | |
IRLR024NPBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |