5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 1.69 |
| Samacsys Confidence： | 3 | Samacsys Status： | Released |
| Samacsys PartID： | 1986437 | Samacsys Pin Count： | 6 |
| Samacsys Part Category： | MOSFET (P-Channel) | Samacsys Package Category： | SOT23 (6-Pin) |
| Samacsys Footprint Name： | Micro6 (SOT23 6L) | Samacsys Released Date： | 2020-04-27 00:40:14 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 31 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 20 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5.6 A | 最大漏源导通电阻： | 0.05 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 6 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 45 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRLMS6802TR | INFINEON |
类似代替  |
Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 20V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IRLML2244TRPBF | INFINEON |
功能相似 |
HEXFETpower MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRLP2505 | ETC |
获取价格 |
|
|
| IRLP2505PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 55V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRLP3034 | INFINEON |
获取价格 |
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optim |
|
| IRLP3034PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRLP3803 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET(VDSS = 30V,RDS(on) = 0.0 |
|
| IRLP3803PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRLR/U120A | FAIRCHILD |
获取价格 |
ADVANCED POWER MOSFET |
|
| IRLR/U120NPBF | INFINEON |
获取价格 |
Surface Mount (IRLR120N) |
|
| IRLR/U130A | FAIRCHILD |
获取价格 |
ADVANCED POWER MOSFET |
|
| IRLR/U230A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
