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IRLMS2002TR

更新时间： 2024-10-30 20:05:47
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 91K
描述
Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 20V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MICRO-6

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IRLMS2002TR 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：MICRO-6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.13
其他特性：ULTRA-LOW RESISTANCE配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (ID)：6.5 A
最大漏源导通电阻：0.03 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRLMS2002TR 数据手册

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PD- 93758D  
IRLMS2002  
HEXFET® Power MOSFET  
l Ultra Low On-Resistance  
l N-Channel MOSFET  
l Surface Mount  
l Available in Tape & Reel  
l 2.5V Rated  
A
1
2
6
D
D
D
VDSS = 20V  
5
D
3
4
G
S
RDS(on) = 0.030Ω  
Top View  
Description  
These N-Channel MOSFETs from International Rectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve the  
extremely low on-resistance per silicon area. This benefit  
provides the designer with an extremely efficient device for  
use in battery and load management applications.  
The Micro6 package with its customized leadframe  
produces a HEXFET power MOSFET with RDS(on) 60%  
less than a similar size SOT-23. This package is ideal for  
applications where printed circuit board space is at a  
premium. It'suniquethermaldesignandRDS(on) reduction  
enables a current-handling increase of nearly 300%  
compared to the SOT-23.  
Micro6  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
VDS  
Drain- Source Voltage  
20  
6.5  
V
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA= 70°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V  
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V  
Pulsed Drain Current   
5.2  
A
20  
PD @TA = 25°C  
PD @TA = 70°C  
Power Dissipation  
2.0  
W
Power Dissipation  
1.3  
Linear Derating Factor  
0.016  
± 12  
W/°C  
V
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
TJ, TSTG  
Junction and Storage Temperature Range  
-55 to + 150  
°C  
Thermal Resistance  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientƒ  
Max.  
62.5  
Units  
°C/W  
RθJA  
www.irf.com  
1
01/13/03  
12345678

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IRLMS2002TR 替代型号

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