是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | MICRO-6 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.14 |
其他特性: | ULTRA-LOW RESISTANCE | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 20 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 6.5 A |
最大漏极电流 (ID): | 6.5 A | 最大漏源导通电阻: | 0.03 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PDSO-G6 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 6 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 2 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 20 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IRLMS2002TR | INFINEON |
类似代替 |
Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 20V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IRLMS2002TRPBF | INFINEON |
类似代替 |
Ultra Low On-Resistance | |
IRLMS2002PBF | INFINEON |
功能相似 |
HEXFET Power MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRLMS2002PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET | |
IRLMS2002TR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 20V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IRLMS2002TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Ultra Low On-Resistance | |
IRLMS4502 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET | |
IRLMS4502TR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 12V, 0.042ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me | |
IRLMS5703 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET | |
IRLMS5703PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 30V, 0.18ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met | |
IRLMS5703PBF_15 | INFINEON |
获取价格 |
GENERATION V TECHNOLOGY | |
IRLMS5703TR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 30V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta | |
IRLMS5703TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Generation V Technology |