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IRLMS1503TRPBF

更新时间： 2024-11-21 12:33:55
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英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
8页 156K
描述
Generation V Technology

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IRLMS1503TRPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：0.71其他特性：ULTRA LOW RESISTANCE
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：3.2 A最大漏源导通电阻：0.1 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：18 A表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRLMS1503TRPBF 数据手册

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PD - 95762  
IRLMS1503PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
l Generation V Technology  
l Micro6 Package Style  
l Ultra Low RDS(on)  
l N-Channel MOSFET  
l Lead-Free  
A
1
2
6
D
D
D
VDSS = 30V  
5
D
3
4
G
S
R
DS(on) = 0.10Ω  
Description  
Top View  
Fifth Generation HEXFET® power MOSFETs from  
International Rectifier utilize advanced processing  
techniques to achieve extremely low on-resistance  
per silicon area. This benefit, combined with the fast  
switching speed and ruggedized device design that  
HEXFET® power MOSFETs are well known for,  
provides the designer with an extremely efficient and  
reliable device for use in a wide variety of applications.  
The Micro6™ package with its customized leadframe  
produces a HEXFET® power MOSFET with RDS(on)  
60% less than a similar size SOT-23. This package is  
idealforapplicationswhereprintedcircuitboardspace  
isatapremium. It'suniquethermaldesignandRDS(on)  
reduction enables a current-handling increase of  
nearly 300% compared to the SOT-23.  
Micro6™  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 70°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current   
3.2  
2.6  
A
18  
PD @TA = 25°C  
Power Dissipation  
1.7  
13  
W
mW/°C  
V
Linear Derating Factor  
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
± 20  
dv/dt  
TJ,TSTG  
Peak Diode Recovery dv/dt ‚  
Junction and Storage Temperature Range  
5.0  
V/ns  
°C  
-55 to + 150  
Thermal Resistance Ratings  
Parameter  
Min.  
Typ.  
Max  
Units  
RθJA  
Maximum Junction-to-Ambient „  
–––  
–––  
75  
°C/W  
www.irf.com  
1
1/14/05  
12345678

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IRLMS1503TRPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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