Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRLMS1902

IRLMS1902

更新时间： 2024-11-17 22:23:47

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	185K
描述
HEXFET Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRLMS1902 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	MICRO-6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.14
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.2 A	最大漏极电流 (ID)：	3.2 A
最大漏源导通电阻：	0.1 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.78 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	18 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRLMS1902 数据手册

PD - 91540C

IRLMS1902

HEXFET^®Power MOSFET

^lGeneration V Technology

l Micro6 Package Style

l Ultra Low R_DS(on)

V_DSS= 20V

l N-Channel MOSFET

R_DS(on)= 0.10Ω

Description

Top View

Fifth Generation HEXFET^®power MOSFETs from

International Rectifier utilize advanced processing

techniquestoachieveextremelylowon-resistanceper

silicon area. This benefit, combined with the fast

switching speed and ruggedized device design that

HEXFET^®power MOSFETs are well known for,

provides the designer with an extremely efficient and

reliable device for use in a wide variety of applications.

The Micro6 package with its customized leadframe

produces a HEXFET^®power MOSFET with R_DS(on)

60% less than a similar size SOT-23. This package is

idealforapplicationswhereprintedcircuitboardspace

isatapremium. It'suniquethermaldesignandR_DS(on)

reductionenablesacurrent-handlingincreaseofnearly

300% compared to the SOT-23.

Micro6

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

I_D@ T_A= 25°C

I_D@ T_A= 70°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 4.5V

Pulsed Drain Current

3.2

2.6

1.7

P_D@T_A= 25°C

PowerDissipation

mW/°C

LinearDeratingFactor

V_GS

Gate-to-SourceVoltage

± 12

dv/dt

PeakDiodeRecoverydv/dt

JunctionandStorageTemperatureRange

5.0

V/ns

°C

T_J,T_STG

-55 to + 150

Thermal Resistance Ratings

Parameter

Min.

Typ.

Max

Units

R_θJA

Maximum Junction-to-Ambient

°C/W

www.irf.com

3/18/04

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

IRLMS1902 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRLMS1902TR	INFINEON	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 20V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

与IRLMS1902相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRLMS1902PBF	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRLMS1902TR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 20V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRLMS1902TRPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 20V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRLMS2002	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRLMS2002PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRLMS2002TR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 20V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRLMS2002TRPBF	INFINEON	获取价格	Ultra Low On-Resistance
IRLMS4502	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRLMS4502TR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 12V, 0.042ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IRLMS5703	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET

与IRLMS1902相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

37

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRLMS1902

IRLMS1902 技术参数

IRLMS1902 数据手册

IRLMS1902 替代型号

与IRLMS1902相关器件

与IRLMS1902相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRLMS1902

IRLMS1902 技术参数

IRLMS1902 数据手册

IRLMS1902 替代型号

与IRLMS1902相关器件

与IRLMS1902相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？