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IRLMS1902PBF

更新时间： 2024-11-21 13:08:55
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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PD - 91540C  
IRLMS1902  
HEXFET® Power MOSFET  
l Generation V Technology  
l Micro6 Package Style  
l Ultra Low RDS(on)  
A
1
2
6
D
D
D
VDSS = 20V  
5
D
l N-Channel MOSFET  
3
4
G
S
RDS(on) = 0.10Ω  
Description  
Top View  
Fifth Generation HEXFET® power MOSFETs from  
International Rectifier utilize advanced processing  
techniquestoachieveextremelylowon-resistanceper  
silicon area. This benefit, combined with the fast  
switching speed and ruggedized device design that  
HEXFET® power MOSFETs are well known for,  
provides the designer with an extremely efficient and  
reliable device for use in a wide variety of applications.  
The Micro6package with its customized leadframe  
produces a HEXFET® power MOSFET with RDS(on)  
60% less than a similar size SOT-23. This package is  
idealforapplicationswhereprintedcircuitboardspace  
isatapremium. It'suniquethermaldesignandRDS(on)  
reductionenablesacurrent-handlingincreaseofnearly  
300% compared to the SOT-23.  
Micro6  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 70°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V  
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V  
Pulsed Drain Current   
3.2  
2.6  
A
18  
1.7  
PD @TA = 25°C  
PowerDissipation  
W
mW/°C  
V
LinearDeratingFactor  
13  
VGS  
Gate-to-SourceVoltage  
± 12  
dv/dt  
PeakDiodeRecoverydv/dt‚  
JunctionandStorageTemperatureRange  
5.0  
V/ns  
°C  
TJ, TSTG  
-55 to + 150  
Thermal Resistance Ratings  
Parameter  
Min.  
Typ.  
Max  
Units  
RθJA  
Maximum Junction-to-Ambient „  
–––  
–––  
75  
°C/W  
www.irf.com  
1
3/18/04  
12345678

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IRLMS1902PBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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