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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MICRO-3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 1.08 |
| Samacsys Confidence： | 4 | Samacsys Status： | Released |
| Samacsys PartID： | 680262 | Samacsys Pin Count： | 3 |
| Samacsys Part Category： | MOSFET (P-Channel) | Samacsys Package Category： | SOT23 (3-Pin) |
| Samacsys Footprint Name： | Micro3 (SOT23) | Samacsys Released Date： | 2017-07-28 22:30:19 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2.3 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2.3 A | 最大漏源导通电阻： | 0.165 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-236AB |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.25 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 12 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRLMS1503 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRLMS1503_05 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
|
| IRLMS1503PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ Power MOSFET |
|
| IRLMS1503PBF-1 | INFINEON |
获取价格 |
Compatible with Existing Surface Mount Techniques |
|
| IRLMS1503PBF-1_15 | INFINEON |
获取价格 |
Compatible with Existing Surface Mount Techniques |
|
| IRLMS1503TRHR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 30V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRLMS1503TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Generation V Technology |
|
| IRLMS1902 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRLMS1902PBF | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| IRLMS1902TR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 20V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
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