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IRHNJ598230

更新时间： 2024-11-24 20:22:03
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 115K
描述
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 200V, 0.505ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD0.5, 3 PIN

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IRHNJ598230 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.69
Is Samacsys：N配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：8 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：e0工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：75 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：1

IRHNJ598230 数据手册

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PD - 94046C  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
SURFACE MOUNT (SMD-0.5)  
IRHNJ597230  
200V, P-CHANNEL  
TECHNOLOGY  
R
5
™
Product Summary  
Part Number Radiation Level RDS(on)  
ID  
IRHNJ597230 100K Rads (Si) 0.505Ω -8.0A  
IRHNJ593230 300K Rads (Si) 0.505Ω -8.0A  
SMD-0.5  
International Rectifier’s R5TM technology provides  
high performance power MOSFETs for space appli-  
cations. These devices have been characterized for  
Single Event Effects (SEE) with useful performance  
up to an LET of 80 (MeV/(mg/cm2)). The combination  
of low RDS(on) and low gate charge reduces the power  
losses in switching applications such as DC to DC  
converters and motor control. These devices retain  
all of the well established advantages of MOSFETs  
such as voltage control, fast switching, ease of paral-  
leling and temperature stability of electrical param-  
eters.  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Ultra Low RDS(on)  
Low Total Gate Charge  
Proton Tolerant  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Surface Mount  
Ceramic Package  
Light Weight  
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Irradiation  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= -12V, T = 25°C Continuous Drain Current  
-8.0  
D
GS  
C
A
I
D
= -12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
-5.0  
-32  
GS  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
DM  
@ T = 25°C  
P
75  
W
W/°C  
V
D
C
Linear Derating Factor  
0.6  
V
Gate-to-Source Voltage  
±20  
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
75  
mJ  
A
AS  
I
-8.0  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➀  
Operating Junction  
7.5  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
-13.7  
-55 to 150  
T
J
T
Storage Temperature Range  
oC  
g
STG  
Pckg. Mounting Surface Temp.  
Weight  
300 ( for 5s )  
1.0 ( Typical )  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
11/28/01  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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