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IRHNJ63C30SCS

更新时间： 2024-11-28 14:51:11
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
8页 1025K
描述
Rad hard, 600V, 3.4A, single, N-channel MOSFET, R6 in a SMD-0.5 package - SMD-0.5, 300 krad(Si) TID, QIRL

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IRHNJ63C30SCS 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：CHIP CARRIER, R-CBCC-N3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.8雪崩能效等级（Eas）：76 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (ID)：3.4 A
最大漏源导通电阻：2.9 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-CBCC-N3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：13.6 A
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRHNJ63C30SCS 数据手册

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PD-97198E  
2N7598U3  
IRHNJ67C30  
600V, N-CHANNEL  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
TECHNOLOGY  
SURFACE MOUNT (SMD-0.5)  
Product Summary  
Part Number  
IRHNJ67C30  
IRHNJ63C30  
Radiation Level RDS(on)  
ID  
100 kRads(Si)  
300 kRads(Si)  
3.4A  
3.4A  
3.1  
3.1  
SMD-0.5  
Description  
Features  
IR HiRel R6 technology provides superior power  
MOSFETs for space applications. These devices have  
improved immunity to Single Event Effect (SEE) and  
have been characterized for useful performance with  
Linear Energy Transfer (LET) up to 90MeV/(mg/cm2).  
Their combination of very low RDS(on) and faster switching  
times reduces power loss and increases power density in  
today’s high speed switching applications such as DC-DC  
converters and motor controllers. These devices retain  
all of the well established advantages of MOSFETs such  
as voltage control, ease of paralleling and temperature  
stability of electrical parameters.  
Low RDS(on)  
Fast Switching  
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Low Total Gate Charge  
Simple Drive Requirements  
Hermetically Sealed  
Surface Mount  
Ceramic Package  
Light Weight  
ESD Rating: Class 2 per MIL-STD-750, Method 1020  
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Irradiation  
Symbol  
Value  
Parameter  
Units  
ID1 @ VGS = 12V, TC = 25°C Continuous Drain Current  
ID2 @ VGS = 12V, TC = 100°C Continuous Drain Current  
3.4  
A
2.2  
IDM @TC = 25°C  
PD @TC = 25°C  
Pulsed Drain Current  
13.6  
Maximum Power Dissipation  
75  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
0.6  
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy   
Avalanche Current  
± 20  
76  
3.4  
mJ  
A
EAR  
dv/dt  
TJ  
7.5  
mJ  
V/ns  
Repetitive Avalanche Energy   
Peak Diode Recovery dv/dt   
Operating Junction and  
Storage Temperature Range  
Pckg. Mounting Surface Temp.  
Weight  
9.2  
-55 to + 150  
TSTG  
°C  
g
300 (for 5s)  
1.0 (Typical)  
For Footnotes refer to the page 2.  
1
2021-02-05  
International Rectifier HiRel Products, Inc.  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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