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IRHNJ67130PBF

更新时间： 2024-11-25 07:56:23
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 187K
描述
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD-0.5, 3 PIN

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IRHNJ67130PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：CHIP CARRIER, R-CBCC-N3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.83雪崩能效等级（Eas）：73 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (ID)：22 A
最大漏源导通电阻：0.042 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-CBCC-N3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：88 A表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

IRHNJ67130PBF 数据手册

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PD-95816D  
IRHNJ67130  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
JANSR2N7587U3  
100V, N-CHANNEL  
SURFACE MOUNT (SMD-0.5)  
REF: MIL-PRF-19500/746  
TECHNOLOGY  
Product Summary  
Part Number Radiation Level RDS(on) ID  
QPL Part Number  
IRHNJ67130 100K Rads (Si)  
IRHNJ63130 300K Rads (Si)  
0.042Ω 22A* JANSR2N7587U3  
0.042Ω 22A* JANSF2N7587U3  
SMD-0.5  
International Rectifier’s R6TM technology provides  
superior power MOSFETs for space applications.  
These devices have improved immunity to Single  
Event Effect (SEE) and have been characterized for  
useful performance with Linear Energy Transfer  
(LET) up to 90MeV/(mg/cm2). Their combination of  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
Low RDS(on)  
Fast Switching  
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Low Total Gate Charge  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
very low R  
and faster switching times reduces  
DS(on)  
power loss and increases power density in today’s  
high speed switching applications such as DC-DC  
converters and motor controllers. These devices  
retain all of the well established advantages of  
MOSFETs such as voltage control, ease of paralleling  
and temperature stability of electrical parameters.  
Hermetically Sealed  
Surface Mount  
Ceramic Package  
Light Weight  
Pre-Irradiation  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 12V, T = 25°C Continuous Drain Current  
22*  
19  
D
D
GS  
GS  
C
A
I
= 12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
C
I
Pulsed Drain Current À  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
88  
DM  
@ T = 25°C  
P
D
75  
W
W/°C  
V
C
0.6  
V
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy Á  
Avalanche Current À  
±20  
73  
GS  
E
mJ  
A
AS  
I
22  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy À  
Peak Diode Recovery dv/dt   
Operating Junction  
7.5  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
3.8  
T
-55 to 150  
J
°C  
g
T
Storage Temperature Range  
STG  
Pckg. Mounting Surface Temp.  
Weight  
300 (for 5s)  
1.0 (Typical)  
* Current is limited by package  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
07/25/12  
1234567...9

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与IRHNJ67130PBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRHNJ67130SCS INFINEON

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 		Rad hard, 100V, 22A, single, N-channel MOSFET, R6 in a SMD-0.5 package - SMD-0.5, 100 krad
IRHNJ67130SCSB INFINEON

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 		Rad hard, 100V, 22A, single, N-channel MOSFET, R6 in a SMD-0.5 package - SMD-0.5, 100 krad
IRHNJ67134 INFINEON

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 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE-MOUNT (SMD-0.5)
IRHNJ67134B INFINEON

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 		Rad hard, 150V, 19A, single, N-channel MOSFET, R6 in a SMD-0.5 package - SMD-0.5, 100 krad
IRHNJ67134PBF INFINEON

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 		暂无描述
IRHNJ67134SCS INFINEON

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 		Rad hard, 150V, 19A, single, N-channel MOSFET, R6 in a SMD-0.5 package - SMD-0.5, 100 krad
IRHNJ67230 INFINEON

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 		Rad hard, 200V, 16A, single, N-channel MOSFET, R6 in a SMD-0.5 package - SMD-0.5, 100 krad
IRHNJ67230SCS INFINEON

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 		Rad hard, 200V, 16A, single, N-channel MOSFET, R6 in a SMD-0.5 package - SMD-0.5, 100 krad

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