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IRHNJ67234SCS PDF预览

IRHNJ67234SCS

更新时间： 2024-11-05 14:51:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 202K
描述
Power Field-Effect Transistor, 12.4A I(D), 250V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,

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IRHNJ67234SCS 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：CHIP CARRIER, R-CBCC-N3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.76
雪崩能效等级（Eas）：56 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：250 V
最大漏极电流 (ID)：12.4 A最大漏源导通电阻：0.21 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-CBCC-N3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：49.6 A参考标准：RH - 100K Rad(Si)
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRHNJ67234SCS 数据手册

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PD-97197C  
IRHNJ67234  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
JANSR2N7593U3  
250V, N-CHANNEL  
SURFACE MOUNT (SMD-0.5)  
REF: MIL-PRF-19500/746  
TECHNOLOGY  
Product Summary  
Part Number Radiation Level RDS(on) ID  
QPL Part Number  
IRHNJ67234 100K Rads (Si)  
IRHNJ63234 300K Rads (Si)  
0.21Ω 12.4A JANSR2N7593U3  
0.21Ω 12.4A JANSF2N7593U3  
SMD-0.5  
International Rectifier’s R6TM technology provides  
superior power MOSFETs for space applications.  
These devices have improved immunity to Single  
Event Effect (SEE) and have been characterized for  
useful performance with Linear Energy Transfer  
(LET) up to 90MeV/(mg/cm2). Their combination of  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
Low RDS(on)  
Fast Switching  
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Low Total Gate Charge  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Surface Mount  
very low R  
and faster switching times reduces  
DS(on)  
power loss and increases power density in today’s  
high speed switching applications such as DC-DC  
converters and motor controllers. These devices  
retain all of the well established advantages of  
MOSFETs such as voltage control, ease of paralleling  
and temperature stability of electrical parameters.  
Ceramic Package  
Light Weight  
n
ESD Rating: Class 2 per MIL-STD-750,  
Method 1020  
Pre-Irradiation  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 12V, T = 25°C Continuous Drain Current  
12.4  
7.8  
D
D
GS  
GS  
C
A
I
= 12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
C
I
Pulsed Drain Current À  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
49.6  
75  
DM  
@ T = 25°C  
P
D
W
W/°C  
V
C
0.6  
V
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy Á  
Avalanche Current À  
±20  
GS  
E
56  
mJ  
A
AS  
I
12.4  
7.5  
AR  
E
AR  
dv/dt  
Repetitive Avalanche Energy À  
Peak Diode Recovery dv/dt   
Operating Junction  
mJ  
V/ns  
5.5  
T
-55 to 150  
J
°C  
g
T
Storage Temperature Range  
STG  
Pckg. Mounting Surface Temp.  
Weight  
300 (for 5s)  
1.0 (Typical)  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
04/08/14  
1234567...9

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与IRHNJ67234SCS相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRHNJ67434 INFINEON

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 		Simple Drive Requirements
IRHNJ67434_15 INFINEON

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 		Simple Drive Requirements
IRHNJ67C30 INFINEON

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 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE-MOUNT (SMD-0.5)
IRHNJ67C30SCS INFINEON

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 		Rad hard, 600V, 3.4A, single, N-channel MOSFET, R6 in a SMD-0.5 package - SMD-0.5, 100 kra
IRHNJ6S7130 INFINEON

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 		Rad hard, 100V, 22A, single, N-channel MOSFET, R6 in a SMD-0.5 package - SMD-0.5, 100 krad
IRHNJ6S7130SCS INFINEON

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 		Rad hard, 100V, 22A, single, N-channel MOSFET, R6 in a SMD-0.5 package - SMD-0.5, 100 krad
IRHNJ6S7230 INFINEON

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 		Rad hard, 200V, 16A, single, N-channel MOSFET, R6 in a SMD-0.5 package - SMD-0.5, 100 krad
IRHNJ6S7230SCS INFINEON

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 		Rad hard, 200V, 16A, single, N-channel MOSFET, R6 in a SMD-0.5 package - SMD-0.5, 100 krad
IRHNJ6S7234 INFINEON

获取价格

 		Rad hard, 250V, 12.4A, single, N-channel MOSFET, R6 in a SMD-0.5 package - SMD-0.5, 100 kr
IRHNJ6S7234SCS INFINEON

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 		Rad hard, 250V, 12.4A, single, N-channel MOSFET, R6 in a SMD-0.5 package - SMD-0.5, 100 kr

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