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IRHNJ7330SE

更新时间： 2024-02-02 01:54:56
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英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
8页 114K
描述
RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-0.5)

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IRHNJ7330SE 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：CHIP CARRIER, R-CBCC-N3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.34
雪崩能效等级（Eas）：150 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：400 V
最大漏极电流 (ID)：5.3 A最大漏源导通电阻：1.2 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-CBCC-N3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：21 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRHNJ7330SE 数据手册

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PD - 93829B  
IRHNJ7330SE  
JANSR2N7465U3  
400V, N-CHANNEL  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
SURFACE MOUNT (SMD-0.5)  
REF: MIL-PRF-19500/676  
RAD Hard™ HEXFET® TECHNOLOGY  
Product Summary  
Part Number Radiation Level  
RDS(on)  
ID  
QPL Part Number  
IRHNJ7330SE 100K Rads (Si)  
1.39Ω 5.0A JANSR2N7465U3  
SMD-0.5  
International Rectifier’s RADHardTM HEXFET® MOSFET  
technology provides high performance power MOSFETs  
for space applications. This technology has over a de-  
cade of proven performance and reliability in satellite  
applications. These devices have been characterized  
for both Total Dose and Single Event Effects (SEE). The  
combination of low RDS(on) and low gate charge reduces  
the power losses in switching applications such as DC to  
DC converters and motor control. These devices retain  
all of the well established advantages of MOSFETs such  
as voltage control, fast switching, ease of paralleling and  
temperature stability of electrical parameters.  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Ultra Low RDS(on)  
Low Total Gate Charge  
Proton Tolerant  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Surface Mount  
Ceramic Package  
Light Weight  
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Irradiation  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 12V, T = 25°C  
Continuous Drain Current  
5.0  
D
D
GS  
GS  
C
A
I
= 12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
3.2  
20  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
DM  
@ T = 25°C  
P
75  
W
W/°C  
V
D
C
Linear Derating Factor  
0.6  
V
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
±20  
GS  
E
150  
mJ  
A
AS  
I
5.0  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➀  
Operating Junction  
7.5  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
1.8  
T
-55 to 150  
J
oC  
g
T
Storage Temperature Range  
STG  
Pckg. Mounting Surface Temp.  
Weight  
300 (for 5s)  
1.0 (Typical)  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
02/07/03  
12345678

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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