5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 暂无类别数据> IRHNJ9130
IRHNJ9130 PDF预览

IRHNJ9130

更新时间： 2024-11-26 21:54:03
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
8页 127K
描述
RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-0.5)

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRHNJ9130 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：CHIP CARRIER, R-CBCC-N3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.32
雪崩能效等级（Eas）：150 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：11 A最大漏极电流 (ID)：11 A
最大漏源导通电阻：0.34 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-CBCC-N3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：44 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：NO LEAD
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

IRHNJ9130 数据手册

 浏览型号IRHNJ9130的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRHNJ9130的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRHNJ9130的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRHNJ9130的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRHNJ9130的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRHNJ9130的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 94277  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
IRHNJ9130  
100V, P-CHANNEL  
SURFACE MOUNT (SMD-0.5) RAD Hard™ HEXFET® TECHNOLOGY  
Product Summary  
Part Number Radiation Level RDS(on)  
ID  
IRHNJ9130  
100K Rads (Si) 0.29Ω  
300K Rads (Si) 0.29Ω  
-11A  
-11A  
IRHNJ93130  
International Rectifier’s RADHard HEXFET® technol-  
ogy provides high performance power MOSFETs for  
space applications. This technology has over a de-  
cade of proven performance and reliability in satellite  
applications. These devices have been character-  
ized for bothTotal Dose and Single Event Effects (SEE).  
The combination of low Rdson and low gate charge  
reduces the power losses in switching applications  
such as DC to DC converters and motor control. These  
devices retain all of the well established advantages  
of MOSFETs such as voltage control, fast switching,  
ease of paralleling and temperature stability of elec-  
trical parameters.  
SMD-0.5  
Features:  
n Single Event Effect (SEE) Hardened  
n Ultra Low RDS(on)  
n Low Total Gate Charge  
n Proton Tolerant  
n Simple Drive Requirements  
n Ease of Paralleling  
n Hermetically Sealed  
n Surface Mount  
n Ceramic Package  
n Light Weight  
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Irradiation  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= -12V, T = 25°C Continuous Drain Current  
-11  
D
GS  
C
A
I
D
= -12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
-7.0  
-44  
GS  
C
I
Pulsed Drain Current ➀  
Max. Power Dissipation  
DM  
@ T = 25°C  
P
75  
W
W/°C  
V
D
C
Linear Derating Factor  
0.6  
V
Gate-to-Source Voltage  
±20  
GS  
E
Single Pulse Avalanche Energy ➀  
Avalanche Current ➀  
150  
mJ  
A
AS  
I
-11  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy ➀  
Peak Diode Recovery dv/dt ➀  
Operating Junction  
7.5  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
-16  
T
-55 to 150  
J
T
Storage Temperature Range  
oC  
g
STG  
(for 5s)  
Package Mounting Surface Temp.  
Weight  
300  
1.0 (Typical)  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
7/12/01  
12345678

中文翻译

下载PDF

与IRHNJ9130相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRHNJ9130A INFINEON

获取价格

 		Rad hard, -100V, -11A, single, P-channel MOSFET, R4 in a SMD-0.5 package - SMD-0.5, 100 kr
IRHNJ9130B INFINEON

获取价格

 		Rad hard, -100V, -11A, single, P-channel MOSFET, R4 in a SMD-0.5 package - SMD-0.5, 100 kr
IRHNJ9130PBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.34ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRHNJ9130SCSA INFINEON

获取价格

 		Rad hard, -100V, -11A, single, P-channel MOSFET, R4 in a SMD-0.5 package - SMD-0.5, 100 kr
IRHNJ9230 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor
IRHNJ9230SCS INFINEON

获取价格

 		Rad hard, -200V, -6.5A, single, P-channel MOSFET, R4 in a SMD-0.5 package - SMD-0.5, 100 k
IRHNJ93130 INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-0.5)
IRHNJ93130PBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.34ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRHNJ93230 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor
IRHNJ9A3034 INFINEON

获取价格

 		Rad hard, 60V, 40A, single, N-channel MOSFET, R9 in a SMD-0.5 package - SMD-0.5, 300 krad

与IRHNJ9130相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证