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IRHNJ9A7034SCS

更新时间： 2024-01-03 19:24:09

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英飞凌 - INFINEON		开关脉冲晶体管
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9页	389K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IRHNJ9A7034SCS 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.72	其他特性：	HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）：	840 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	40 A	最大漏极电流 (ID)：	40 A
最大漏源导通电阻：	0.018 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-CBCC-N3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	75 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	160 A
参考标准：	RH - 100K Rad(Si)	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	75 ns	最大开启时间（吨）：	60 ns
Base Number Matches：	1

IRHNJ9A7034SCS 数据手册

PD-97845

IRHNJ9A7034

60V, N-CHANNEL

RADIATION HARDENED

POWER MOSFET

SURFACE MOUNT (SMD-0.5)

TECHNOLOGY

Product Summary

Part Number Radiation Level RDS(on)

I_D

IRHNJ9A7034

IRHNJ9A3034

100 kRads (Si)

300 kRads (Si)

40A*

18m

SMD-0.5

Description

Features

 Low RDS(on)

 Fast Switching

Single Event Effect (SEE) Hardened

Low Total Gate Charge

 Simple Drive Requirements

 Ease of Paralleling

 Hermetically Sealed

 Electrically Isolated

 Ceramic package

IR HiRel R9 technology provides superior power MOSFETs

for space applications. These devices have improved

immunity to Single Event Effect (SEE) and have been

characterized for useful performance with Linear Energy

Transfer (LET) up to 90MeV/(mg/cm²). Their combination of

low RDS(on) and faster switching times reduces the power

losses and increases power density in today’s high speed

switching applications such as DC-DC converters and motor

controllers. These devices retain all of the well established

advantages of MOSFETs such as voltage control, fast

switching, ease of paralleling and temperature stability of

electrical parameters.

 Light Weight

 Surface Mount

 ESD Rating: Class 2 per MIL-STD-750,

Method 1020

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Pre-Irradiation

Units

40*

I_D@ V_GS= 12V, T_C= 25°C Continuous Drain Current

I_D@ V_GS= 12V, T_C= 100°C Continuous Drain Current

160

I_DM

Pulsed Drain Current 

W/°C

P_D@T_C= 25°C

Maximum Power Dissipation

0.6

Linear Derating Factor

± 20

840

V_GS

E_AS

I_AR

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy 

Avalanche Current 

7.5

V/ns

E_AR

dv/dt

T_J

Repetitive Avalanche Energy 

Peak Diode Recovery dv/dt 

Operating Junction and

-55 to + 150

T_STG

Storage Temperature Range

Package Mounting Surface Temperature

Weight

°C

300 (for 5s)

1.0 (Typical)

* Current is limited by package

For Footnotes, refer to the page 2.

2017-05-17

12 3 4 5 6 7...9

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与IRHNJ9A7034SCS相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IRHNJ9A7130	INFINEON	RF Power Field-Effect Transistor	获取价格
IRHNJ9A7130B	INFINEON	Rad hard, 100V, 35A, single, N-channel MOSFET, R9 in a SMD-0.5 package - SMD-0.5, 100 krad	获取价格
IRHNJ9A7130SCS	INFINEON	Rad hard, 100V, 35A, single, N-channel MOSFET, R9 in a SMD-0.5 package - SMD-0.5, 100 krad	获取价格
IRHNJ9A7130SCSB	INFINEON	Rad hard, 100V, 35A, single, N-channel MOSFET, R9 in a SMD-0.5 package - SMD-0.5, 100 krad	获取价格
IRHNJ9A7234	INFINEON	Rad hard, 250V, 17A, single, N-channel MOSFET, R9 in a SMD-0.5 package - SMD-0.5, 100 krad	获取价格
IRHNJ9A7234SCS	INFINEON	Rad hard, 250V, 17A, single, N-channel MOSFET, R9 in a SMD-0.5 package - SMD-0.5, 100 krad	获取价格

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