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IRHNJ9A3034

更新时间： 2024-11-24 11:01:15

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英飞凌 - INFINEON		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	389K
描述
Rad hard, 60V, 40A, single, N-channel MOSFET, R9 in a SMD-0.5 package - SMD-0.5, 300 krad TID, COTS

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IRHNJ9A3034 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.76
其他特性：	HIGH RELIABILITY	雪崩能效等级（Eas）：	840 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	40 A
最大漏极电流 (ID)：	40 A	最大漏源导通电阻：	0.018 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-CBCC-N3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	160 A	参考标准：	RH - 300K Rad(Si)
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	75 ns
最大开启时间（吨）：	60 ns	Base Number Matches：	1

IRHNJ9A3034 数据手册

PD-97845

IRHNJ9A7034

60V, N-CHANNEL

RADIATION HARDENED

POWER MOSFET

SURFACE MOUNT (SMD-0.5)

TECHNOLOGY

Product Summary

Part Number Radiation Level RDS(on)

I_D

IRHNJ9A7034

IRHNJ9A3034

100 kRads (Si)

300 kRads (Si)

40A*

18m

SMD-0.5

Description

Features

 Low RDS(on)

 Fast Switching

Single Event Effect (SEE) Hardened

Low Total Gate Charge

 Simple Drive Requirements

 Ease of Paralleling

 Hermetically Sealed

 Electrically Isolated

 Ceramic package

IR HiRel R9 technology provides superior power MOSFETs

for space applications. These devices have improved

immunity to Single Event Effect (SEE) and have been

characterized for useful performance with Linear Energy

Transfer (LET) up to 90MeV/(mg/cm²). Their combination of

low RDS(on) and faster switching times reduces the power

losses and increases power density in today’s high speed

switching applications such as DC-DC converters and motor

controllers. These devices retain all of the well established

advantages of MOSFETs such as voltage control, fast

switching, ease of paralleling and temperature stability of

electrical parameters.

 Light Weight

 Surface Mount

 ESD Rating: Class 2 per MIL-STD-750,

Method 1020

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Pre-Irradiation

Units

40*

I_D@ V_GS= 12V, T_C= 25°C Continuous Drain Current

I_D@ V_GS= 12V, T_C= 100°C Continuous Drain Current

160

I_DM

Pulsed Drain Current 

W/°C

P_D@T_C= 25°C

Maximum Power Dissipation

0.6

Linear Derating Factor

± 20

840

V_GS

E_AS

I_AR

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy 

Avalanche Current 

7.5

V/ns

E_AR

dv/dt

T_J

Repetitive Avalanche Energy 

Peak Diode Recovery dv/dt 

Operating Junction and

-55 to + 150

T_STG

Storage Temperature Range

Package Mounting Surface Temperature

Weight

°C

300 (for 5s)

1.0 (Typical)

* Current is limited by package

For Footnotes, refer to the page 2.

2017-05-17

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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