5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRHNJ67230
IRHNJ67230 PDF预览

IRHNJ67230

更新时间： 2024-11-24 03:46:31
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 144K
描述
RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE-MOUNT (SMD-0.5)

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRHNJ67230 数据手册

 浏览型号IRHNJ67230的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRHNJ67230的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRHNJ67230的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRHNJ67230的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRHNJ67230的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRHNJ67230的Datasheet PDF文件第7页 
PD-96923B  
RADIATION HARDENED  
POWER MOSFET  
SURFACE-MOUNT (SMD-0.5)  
IRHNJ67230  
200V, N-CHANNEL  
TECHNOLOGY  
Product Summary  
Part Number  
IRHNJ67230  
IRHNJ63230  
Radiation Level RDS(on)  
100K Rads (Si) 0.13Ω 16A  
300K Rads (Si) 0.13Ω 16A  
ID  
SMD-0.5  
International Rectifier’s R6TM technology provides  
superior power MOSFETs for space applications.  
These devices have improved immunity to Single  
Event Effect (SEE) and have been characterized for  
useful performance with Linear Energy Transfer  
(LET) up to 90MeV/(mg/cm2). Their combination of  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
Low RDS(on)  
Fast Switching  
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Low Total Gate Charge  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Surface Mount  
very low R  
and faster switching times reduces  
DS(on)  
power loss and increases power density in today’s  
high speed switching applications such as DC-DC  
converters and motor controllers. These devices  
retain all of the well established advantages of  
MOSFETs such as voltage control, ease of paralleling  
and temperature stability of electrical parameters.  
Ceramic Package  
Light Weight  
Pre-Irradiation  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 12V, T = 25°C Continuous Drain Current  
16  
D
GS  
GS  
C
A
I
= 12V, T = 100°C Continuous Drain Current  
10  
64  
D
C
I
Pulsed Drain Current À  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
DM  
@ T = 25°C  
P
75  
W
W/°C  
V
D
C
0.6  
V
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy Á  
Avalanche Current À  
±20  
60  
GS  
E
mJ  
A
AS  
I
16  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy À  
Peak Diode Recovery dv/dt   
Operating Junction  
7.5  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
6.2  
T
-55 to 150  
J
oC  
g
T
Storage Temperature Range  
STG  
Pckg. Mounting Surface Temp.  
Weight  
300 (for 5s)  
1.0 (Typical)  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
03/17/06  
12345678

中文翻译

下载PDF

与IRHNJ67230相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRHNJ67230A INFINEON

获取价格

 		Rad hard, 200V, 16A, single, N-channel MOSFET, R6 in a SMD-0.5 package - SMD-0.5, 100 krad
IRHNJ67230B INFINEON

获取价格

 		Rad hard, 200V, 16A, single, N-channel MOSFET, R6 in a SMD-0.5 package - SMD-0.5, 100 krad
IRHNJ67230SCS INFINEON

获取价格

 		Rad hard, 200V, 16A, single, N-channel MOSFET, R6 in a SMD-0.5 package - SMD-0.5, 100 krad
IRHNJ67230SCV INFINEON

获取价格

 		Rad hard, 200V, 16A, single, N-channel MOSFET, R6 in a SMD-0.5 package - SMD-0.5, 100 krad
IRHNJ67234 INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE-MOUNT (SMD-0.5)
IRHNJ67234B INFINEON

获取价格

 		Rad hard, 250V, 12.4A, single, N-channel MOSFET, R6 in a SMD-0.5 package - SMD-0.5, 100 kr
IRHNJ67234SCS INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 12.4A I(D), 250V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IRHNJ67434 INFINEON

获取价格

 		Simple Drive Requirements
IRHNJ67434_15 INFINEON

获取价格

 		Simple Drive Requirements
IRHNJ67C30 INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE-MOUNT (SMD-0.5)

与IRHNJ67230相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证