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IRHLUBN770Z4 PDF预览

IRHLUBN770Z4

更新时间： 2024-09-16 17:39:19
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 215K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.8A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SELALED, UBN-4

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IRHLUBN770Z4 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-XDSO-N3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.36
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.8 A最大漏极电流 (ID)：0.8 A
最大漏源导通电阻：0.68 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-XDSO-N3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.6 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRHLUBN770Z4 数据手册

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PD-95813H  
IRHLUB770Z4  
RADIATION HARDENED  
LOGIC LEVEL POWER MOSFET  
SURFACE MOUNT (UB)  
JANSR2N7616UB  
60V, N-CHANNEL  
REF: MIL-PRF-19500/744  
TECHNOLOGY  
™
Product Summary  
Part Number  
Radiation Level RDS(on)  
ID  
QPL Part Number  
IRHLUB770Z4 100K Rads (Si)  
0.68Ω 0.8A JANSR2N7616UB  
IRHLUB730Z4 300K Rads (Si) 0.68Ω 0.8A JANSF2N7616UB  
UB  
Refer to Page 11 for 3 Additional Part Numbers -  
IRHLUBN770Z4, IRHLUBC770Z4, IRHLUBCN770Z4  
(SHIELDED METAL LID)  
Features:  
n
n
n
n
n
n
n
n
n
5V CMOS and TTL Compatible  
Fast Switching  
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Low Total Gate Charge  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
International Rectifier’s R7TM Logic Level Power MOSFETs  
provide simple solution to interfacing CMOS and TTL control  
circuits to power devices in space and other radiation  
environments. The threshold voltage remains within acceptable  
operating limits over the full operating temperature and post  
radiation. This is achieved while maintaining single event  
gate rupture and single event burnout immunity.  
Light Weight  
These devices are used in applications such as current boost  
low signal source in PWM, voltage comparator and operational  
amplifiers.  
Complimentary P-Channel Available -  
IRHLUB7970Z4, IRHLUBN7970Z4  
IRHLUBC7970Z4 & IRHLUBCN7970Z4  
Absolute Maximum Ratings  
Pre-Irradiation  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= 4.5V, T = 25°C Continuous Drain Current  
0.8  
D
D
GS  
GS  
C
A
I
= 4.5V, T = 100°C Continuous Drain Current  
0.5  
3.2  
C
I
Pulsed Drain Current   
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy ‚  
Avalanche Current   
DM  
@ T = 25°C  
P
0.6  
W
W/°C  
V
D
C
0.005  
±10  
V
GS  
E
26.6  
0.8  
mJ  
A
AS  
I
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy   
Peak Diode Recovery dv/dt ƒ  
Operating Junction  
0.06  
4.0  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
T
-55 to 150  
J
°C  
T
Storage Temperature Range  
Lead Temperature  
STG  
300 (for 5s)  
43 (Typical)  
Weight  
mg  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
11/15/12  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRHLUBN770Z4SCS INFINEON

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 		Rad hard, 60V, 0.8A, single, N-channel MOSFET, R7 in a UB package - UBN, 100 krad(Si) TID,
IRHLUBN7930Z4 INFINEON

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 		暂无描述
IRHLUBN7970Z4 INFINEON

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.53A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IRHLUBN7970Z4S INFINEON

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 		RADIATION HARDENED LOGIC LEVEL POWER MOSFET SURFACE MOUNT
IRHLUC730Z4SCS INFINEON

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 		60V 100kRad Hi-Rel Dual N Channel TID hardened MOSFET in a LCC-6 package - Screening Level
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IRHLUC7670Z4_15 INFINEON

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 		Simple Drive Requirements
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