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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRHM250 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-254AA |
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| IRHM2C50SE | INFINEON |
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TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=600V, Rds(on)=0.60ohm, Id=10.4A) |
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| IRHM2C50SED | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 10.4A I(D), 600V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IRHM2C50SEDPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 10.4A I(D), 600V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IRHM2C50SEPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRHM2C50SEU | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 10.4A I(D), 600V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IRHM2C50SEUPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 10.4A I(D), 600V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IRHM3054 | INFINEON |
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RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (TO-254AA) |
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| IRHM3054D | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRHM3054DPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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