5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IRHLUC7930Z4
IRHLUC7930Z4 PDF预览

IRHLUC7930Z4

更新时间： 2024-11-06 09:48:07
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 204K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.65A I(D), 60V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-6

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRHLUC7930Z4 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：LCC-6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.4
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.65 A最大漏极电流 (ID)：0.65 A
最大漏源导通电阻：1.6 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-XDSO-N6元件数量：2
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRHLUC7930Z4 数据手册

 浏览型号IRHLUC7930Z4的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRHLUC7930Z4的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRHLUC7930Z4的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRHLUC7930Z4的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRHLUC7930Z4的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRHLUC7930Z4的Datasheet PDF文件第7页 
PD-97574  
2N7627UC  
IRHLUC7970Z4  
RADIATION HARDENED  
LOGIC LEVEL POWER MOSFET  
SURFACE MOUNT (LCC-6)  
60V, DUAL P-CHANNEL  
TECHNOLOGY  
™
Product Summary  
Part Number  
Radiation Level RDS(on)  
ID  
IRHLUC7970Z4 100K Rads (Si) 1.60Ω -0.65A  
IRHLUC7930Z4 300K Rads (Si) 1.60Ω -0.65A  
LCC-6  
International Rectifier’s R7TM Logic Level Power MOSFETs  
provide simple solution to interfacing CMOS and TTL control  
circuits to power devices in space and other radiation  
environments.The threshold voltage remains within  
acceptable operating limits over the full operating  
temperature and post radiation.This is achieved while  
maintaining single event gate rupture and single event  
burnout immunity.  
Features:  
n
5V CMOS and TTL Compatible  
n
n
n
n
n
n
n
n
n
Low RDS(on)  
Fast Switching  
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Low Total Gate Charge  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
The device is ideal when used to interface directly with most  
logic gates, linear IC’s, micro-controllers, and other device  
types that operate from a 3.3-5V source. It may also be  
used to increase the output current of a PWM, voltage  
comparator or an operational amplifier where the logic level  
drive signal is available.  
Hermetically Sealed  
Light Weight  
Complimentary N-Channel Available -  
IRHLUC770Z4  
Absolute Maximum Ratings (Per Die)  
Pre-Irradiation  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= -4.5V, T = 25°C Continuous Drain Current  
-0.65  
D
D
GS  
GS  
C
A
I
= -4.5V,T = 100°C Continuous Drain Current  
-0.41  
-2.6  
C
I
Pulsed Drain Current À  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
DM  
@ T = 25°C  
P
1.0  
W
W/°C  
V
D
C
0.01  
V
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy Á  
Avalanche Current À  
±10  
GS  
E
34  
mJ  
A
AS  
I
-0.65  
0.1  
AR  
E
AR  
dv/dt  
Repetitive Avalanche Energy À  
Peak Diode Recovery dv/dt   
Operating Junction  
mJ  
V/ns  
-5.6  
T
-55 to 150  
J
°C  
g
T
Storage Temperature Range  
STG  
Pckg. Mounting SurfaceTemp  
Weight  
300 (for 5s)  
0.2 (Typical)  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
10/11/10  
1234567...9

中文翻译

下载PDF

与IRHLUC7930Z4相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRHLUC7970Z4 INFINEON

获取价格

 		Simple Drive Requirements
IRHLUC7970Z4_15 INFINEON

获取价格

 		Simple Drive Requirements
IRHLUC7970Z4SCS INFINEON

获取价格

 		60V 100kRad Hi-Rel Dual P Channel TID Hardened MOSFET in a LCC-6 package - Standard Packag
IRHLYS73034CM INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRHLYS77034CM INFINEON

获取价格

 		RADIATION HARDENED LOGIC LEVEL POWER MOSFET THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA
IRHLYS77034CMS INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IRHLYS77034CMSCS INFINEON

获取价格

 		Rad hard, 60V, 20A, single, N-channel MOSFET, R7 in a TO-257AA Low Ohmic package - TO-257A
IRHLYS77034CMSCSA INFINEON

获取价格

 		Rad hard, 60V, 20A, single, N-channel MOSFET, R7 in a TO-257AA Low Ohmic package - TO-257A
IRHLYS793034CM INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.072ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRHLYS793034CMS INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,

与IRHLUC7930Z4相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证