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IRHLUC7630Z4

更新时间： 2024-11-06 01:17:27
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英飞凌 - INFINEON 开关晶体管
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16页 309K
描述
RADIATION HARDENED LOGIC LEVEL POWER MOSFET SURFACE MOUNT

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IRHLUC7630Z4 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：LCC-6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.4
其他特性：CMOS COMPATIBLE配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.89 A
最大漏极电流 (ID)：0.89 A最大漏源导通电阻：1.35 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-XDSO-N6
JESD-609代码：e0元件数量：2
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRHLUC7630Z4 数据手册

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PD-97268A  
2N7632UC  
IRHLUC7670Z4  
RADIATION HARDENED  
60V, Combination 1N-1P-CHANNEL  
LOGIC LEVEL POWER MOSFET  
SURFACE MOUNT (LCC-6)  
TECHNOLOGY  
™
Product Summary  
Part Number  
Radiation Level  
CHANNEL  
R
I
D
DS(on)  
0.89A  
-0.65A  
0.89A  
-0.65A  
0.75Ω  
1.60Ω  
0.75Ω  
1.60Ω  
N
P
N
P
IRHLUC7670Z4  
100K Rads (Si)  
IRHLUC7630Z4  
300K Rads (Si)  
LCC-6  
International Rectifier’s R7TM Logic Level Power MOSFETs  
provide simple solution to interfacing CMOS and TTL control  
circuits to power devices in space and other radiation  
environments.The threshold voltage remains within  
acceptable operating limits over the full operating  
temperature and post radiation.This is achieved while  
maintaining single event gate rupture and single event  
burnout immunity.  
Features:  
n
5V CMOS and TTL Compatible  
n
n
n
n
n
n
n
n
Low RDS(on)  
Fast Switching  
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Low Total Gate Charge  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
Hermetically Sealed  
Light Weight  
The device is ideal when used to interface directly with most  
logic gates, linear IC’s, micro-controllers, and other device  
types that operate from a 3.3-5V source. It may also be  
used to increase the output current of a PWM, voltage  
comparator or an operational amplifier where the logic level  
drive signal is available.  
Pre-Irradiation  
Absolute Maximum Ratings (Per Die)  
Parameter  
N-Channel  
0.89  
P-Channel  
-0.65  
-0.41  
-2.6  
Units  
I @ V  
= ±4.5V, T = 25°C Continuous Drain Current  
D
GS  
GS  
C
A
I @ V  
D
= ±4.5V, T =100°C Continuous Drain Current  
0.56  
C
I
Pulsed Drain Current À  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy  
Avalanche Current À  
3.56  
DM  
@ T = 25°C  
P
D
1.0  
1.0  
W
W/°C  
V
C
0.01  
0.01  
V
±10  
±10  
GS  
E
20 Á  
0.89  
34 ²  
-0.65  
0.1  
mJ  
A
AS  
I
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy À  
Peak Diode Recovery dv/dt  
Operating Junction  
0.1  
mJ  
V/ns  
AR  
dv/dt  
4.7 Â  
-5.6 ³  
T
-55 to 150  
J
T
Storage Temperature Range  
Pckg. Mounting Surface Temp.  
Weight  
°C  
g
STG  
300 (for 5s)  
0.2 (Typical)  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
10/18/10  
1234567...16

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRHLUC7670Z4 INFINEON

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 		Simple Drive Requirements
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 		Simple Drive Requirements
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 		60V 100kRad Hi-Rel Dual 1N 1P Channel TID Hardened MOSFET in a LCC-6 package - Standard Pa
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