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IRHLUC7970Z4 PDF预览

IRHLUC7970Z4

更新时间： 2024-11-06 01:16:47
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英飞凌 - INFINEON 开关晶体管
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描述
Simple Drive Requirements

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IRHLUC7970Z4 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：LCC-6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.4
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.65 A最大漏极电流 (ID)：0.65 A
最大漏源导通电阻：1.6 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-XDSO-N6元件数量：2
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRHLUC7970Z4 数据手册

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PD-97574  
2N7627UC  
IRHLUC7970Z4  
RADIATION HARDENED  
LOGIC LEVEL POWER MOSFET  
SURFACE MOUNT (LCC-6)  
60V, DUAL P-CHANNEL  
TECHNOLOGY  
™
Product Summary  
Part Number  
Radiation Level RDS(on)  
ID  
IRHLUC7970Z4 100K Rads (Si) 1.60Ω -0.65A  
IRHLUC7930Z4 300K Rads (Si) 1.60Ω -0.65A  
LCC-6  
International Rectifier’s R7TM Logic Level Power MOSFETs  
provide simple solution to interfacing CMOS and TTL control  
circuits to power devices in space and other radiation  
environments.The threshold voltage remains within  
acceptable operating limits over the full operating  
temperature and post radiation.This is achieved while  
maintaining single event gate rupture and single event  
burnout immunity.  
Features:  
n
5V CMOS and TTL Compatible  
n
n
n
n
n
n
n
n
n
Low RDS(on)  
Fast Switching  
Single Event Effect (SEE) Hardened  
Low Total Gate Charge  
Simple Drive Requirements  
Ease of Paralleling  
The device is ideal when used to interface directly with most  
logic gates, linear IC’s, micro-controllers, and other device  
types that operate from a 3.3-5V source. It may also be  
used to increase the output current of a PWM, voltage  
comparator or an operational amplifier where the logic level  
drive signal is available.  
Hermetically Sealed  
Light Weight  
Complimentary N-Channel Available -  
IRHLUC770Z4  
Absolute Maximum Ratings (Per Die)  
Pre-Irradiation  
Parameter  
Units  
I
@ V  
@ V  
= -4.5V, T = 25°C Continuous Drain Current  
-0.65  
D
D
GS  
GS  
C
A
I
= -4.5V,T = 100°C Continuous Drain Current  
-0.41  
-2.6  
C
I
Pulsed Drain Current À  
Max. Power Dissipation  
Linear Derating Factor  
DM  
@ T = 25°C  
P
1.0  
W
W/°C  
V
D
C
0.01  
V
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy Á  
Avalanche Current À  
±10  
GS  
E
34  
mJ  
A
AS  
I
-0.65  
0.1  
AR  
E
AR  
dv/dt  
Repetitive Avalanche Energy À  
Peak Diode Recovery dv/dt   
Operating Junction  
mJ  
V/ns  
-5.6  
T
-55 to 150  
J
°C  
g
T
Storage Temperature Range  
STG  
Pckg. Mounting SurfaceTemp  
Weight  
300 (for 5s)  
0.2 (Typical)  
For footnotes refer to the last page  
www.irf.com  
1
10/11/10  
1234567...9

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与IRHLUC7970Z4相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRHLUC7970Z4_15 INFINEON

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 		Simple Drive Requirements
IRHLUC7970Z4SCS INFINEON

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 		60V 100kRad Hi-Rel Dual P Channel TID Hardened MOSFET in a LCC-6 package - Standard Packag
IRHLYS73034CM INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRHLYS77034CM INFINEON

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 		RADIATION HARDENED LOGIC LEVEL POWER MOSFET THRU-HOLE (Low-Ohmic TO-257AA
IRHLYS77034CMS INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IRHLYS77034CMSCS INFINEON

获取价格

 		Rad hard, 60V, 20A, single, N-channel MOSFET, R7 in a TO-257AA Low Ohmic package - TO-257A
IRHLYS77034CMSCSA INFINEON

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